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Chip CI 650V 55A 200W de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | F450R07W1H3B11ABOMA1 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiable |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): | 650 V | Actual - colector (Ic) (máximo): | 55 A |
|---|---|---|---|
| Poder - máximo: | 200 W | Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: | 1.85V @ 15V, 25A |
| Actual - atajo del colector (máximo): | 50 µA | Capacitancia entrada (Cies) @ Vce: | 3,25 N-F @ 25 V |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de IGBT: | Parada de trinchera |
| Resaltar: | F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT,chip CI de 650V 55A,chip CI de 55A 200W |
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Descripción de producto
Microprocesador 650 V 55 A 200 W del circuito integrado de F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT
Módulo lleno del soporte del chasis del inversor 650 V 55 A 200 W del puente de la parada de campo del foso del módulo de IGBT
Especificaciones de F450R07W1H3B11ABOMA1
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Productos de semiconductor discretos |
| Transistores | |
| IGBTs | |
| Módulos de IGBT | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | EasyPACK™ |
| Paquete | Bandeja |
| Situación del producto | Activo |
| Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
| Configuración | Inversor lleno del puente |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 650 V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 55 A |
| Poder - máximo | 200 W |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 25A |
| Actual - atajo del colector (máximo) | µA 50 |
| Capacitancia entrada (Cies) @ Vce | 3,25 N-F @ 25 V |
| Entrada | Estándar |
| Termistor de NTC | Sí |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte del chasis |
| Paquete/caso | Módulo |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Módulo |
| Número bajo del producto | F450R07 |
Características de F450R07W1H3B11ABOMA1
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• HighSpeedIGBTH3
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
• 2.5kVAC1minInsulation
• HighCreepageandClearanceDistances
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
• Montaje rugoso debido a las abrazaderas de montaje integradas
Usos de F450R07W1H3B11ABOMA1
• AutomotiveApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• DC/DCconverter
• AuxiliaryInverters
• HybridElectricalVehicles (H) EV
• InductiveHeatingandWelding
Clasificaciones ambientales y de la exportación de F450R07W1H3B11ABOMA1
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
