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PARALELO 45NS 44TSOP de IC 4MBIT del microprocesador del circuito integrado de CY62147G30-45ZSXAT
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | CY62147G30-45ZSXAT |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Tamaño de la memoria: | 4Mbit | Organización de la memoria: | 256K × 16 |
|---|---|---|---|
| Interfaz de la memoria: | Paralelo | Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: | 45ns |
| Tiempo de acceso: | 45 ns | Voltaje - fuente: | 2.2V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) | Formato de la memoria: | SRAM |
| Alta luz: | CY62147G30-45ZSXAT,PARALELO 45NS DE IC 4MBIT,Microprocesador del circuito integrado 44TSOP |
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Descripción de producto
Microprocesador IC 4Mbit 45 paralelos ns 44-TSOP del circuito integrado de CY62147G30-45ZSXAT
PARALELO 44TSOP II DE IC SRAM 4MBIT
Especificaciones de CY62147G30-45ZSXAT
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos integrados (ICs) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | MoBL® |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Corte la cinta (los CT) | |
| Situación del producto | Activo |
| Tipo de la memoria | Volátil |
| Formato de la memoria | SRAM |
| Tecnología | SRAM - Asincrónico |
| Tamaño de la memoria | 4Mbit |
| Organización de la memoria | 256K x 16 |
| Interfaz de la memoria | Paralelo |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 45ns |
| Tiempo de acceso | 45 ns |
| Voltaje - fuente | 2.2V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | 44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
| Número bajo del producto | CY62147 |
Características de CY62147G30-45ZSXAT
■Velocidad: 45 ns/55 ns
■Gamas de temperaturas
❐ automotriz-UNo: -40 C a +85 C del
❐ automotriz-e: -40 C a +125 C del
■Poder espera ultrabajo
Corriente espera típica del ❐: 3,5 A
■ECC integrado para la corrección de error de un solo bit [1, 2]
■Gama ancha del voltaje: 2,2 V a 3,6 V
■retención de los datos 1.0-V
■entradas y salidas TTL-compatibles
■48 bola Pb-libre VFBGA y 44 paquetes del perno TSOP II
Descripción funcional de CY62147G30-45ZSXAT
CY62147G/CY621472G es dispositivos de baja potencia de alto rendimiento del Cmos (MoBL) SRAM con el ECC integrado. Ambos dispositivos son
ofrecido en microprocesador solo y dual permita las opciones y en tipos de conexión múltiples.
Clasificaciones ambientales y de la exportación de CY62147G30-45ZSXAT
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
