• NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL MOJABLE
NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL MOJABLE

NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL MOJABLE

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: NVMFWS015N10MCLT1G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T, L/C
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Situación del producto: Activo Tipo del FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal) Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 10.5A (TA), 54A (Tc) Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 3V @ 77µA
Resaltar:

NVMFWS015N10MCLT1G

,

PTNG 100V LL NCH

,

100V LL NCH SO-8FL

Descripción de producto

Condensador de microprocesador de tantalio NVMFWS015N10MCLT1G Ptng 100v Ll Nch So-8fl humectable

 

Canal N 100 V 10,5 A (Ta), 54 A (Tc) 3 W (Ta), 79 W (Tc) Montaje en superficie 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

 

Especificaciones deNVMFWS015N10MCLT1G

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría transistores
FET, MOSFET
Fabricante onsemi
Serie Automoción, AEC-Q101
Estado del producto Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 10,5 A (Ta), 54 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 12,2 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 77µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19 nC a 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1338 pF a 50 V
Función FET -
Disipación de energía (máx.) 3W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN, 5 conductores

 

Caracteristicas deNVMFWS015N10MCLT1G

 
• Tamaño pequeño (5x6 mm) para un diseño compacto
• Bajo RDS (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
• Bajo QG y capacitancia para minimizar las pérdidas del conductor
• NVMFWS015N10MCL: opción de flanco humectable para inspección óptica mejorada
 

Aplicaciones deNVMFWS015N10MCLT1G

 
1. Todo el entorno de la aplicación afecta los valores de resistencia térmica que se muestran
y no son constantes y solo son válidas para las condiciones particulares señaladas.
2. Montado en superficie en placa FR4 usando un 650 mm2, 2 oz.Almohadilla de cobre.
3. La corriente máxima para pulsos de hasta 1 segundo es mayor, pero depende de la duración del pulso y el ciclo de trabajo.
 

Clasificaciones ambientales y de exportación deNVMFWS015N10MCLT1G

 
ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99

 

NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL MOJABLE 0

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL MOJABLE ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.