 |
IRFR3710ZTRPBF Componentes electrónicos MOSFET de canal N 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | IRFR3710ZTRPBF |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
|
Información detallada |
|||
| Tipo del FET: | Canal N | Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | Las demás: | Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 42A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 10 V | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 250µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ±20V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 2930 pF @ 25 V |
| Alta luz: | IRFR3710ZTRPBF,IRFR3710ZTRPBF Componentes electrónicos,MOSFET de canal N de 100 V y 42 A |
||
Descripción de producto
IRFR3710ZTRPBF Componentes electrónicos N-canal 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
Especificaciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | FET y MOSFET individuales |
| El Sr. | Tecnologías Infineon |
| Serie | HEXFET® |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Estado del producto | Actividad |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 4V @ 250μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2930 pF @ 25 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | D-Pak |
| Envase / estuche | TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63 |
| Número del producto de base | IRFR3710: las condiciones de los productos |
Características delSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
* Tecnología avanzada de procesos
* Ultra baja resistencia
* 175°C Temperatura de funcionamiento
* Cambiar rápidamente
* Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
* Opciones de paquetes múltiples
* Sin plomo
Aplicaciones del IRFR3710ZTRPBF
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio.Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °CEstas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
