 |
FESB8DTHE3 - 81 Diodo 200 V 8A Montaje de superficie para el sistema TO-263AB
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | FESB8DTHE3 - 81 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
|
Información detallada |
|||
| Tecnología: | Estándar | Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo): | 200 V |
|---|---|---|---|
| Actual - media rectificada (Io): | 8A | Voltaje - delantero (Vf) (máximo) @ si: | 950 mV @ 8 A |
| velocidad: | =< rápido 500ns de la recuperación, > 200mA (Io) | Tiempo de recuperación reversa (trr): | 35 ns |
| Actual - salida reversa @ Vr: | 10 μA @ 200 V | Temperatura de funcionamiento - empalme: | -55°C ~ 150°C |
Descripción de producto
FESB8DTHE3 - 81 Diodo 200 V 8A Montaje de superficie para el sistema TO-263AB
Especificaciones deFESB8DTHE3 - 81
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Diodos | |
| Rectificadores | |
| Diodos únicos | |
| El Sr. | Vishay General Semiconductor - División de diodos |
| Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Estado del producto | Actividad |
| Tecnología | Estándar |
| La tensión de corriente continua inversa (Vr) (máximo) | Las demás: |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo) | 950 mV @ 8 A |
| Velocidad | La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35 ns |
| Corriente - fuga inversa @ Vr | 10 μA @ 200 V |
| Capacidad @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de un documento de identificación de la autoridad competente. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace | -55 °C ~ 150 °C |
| Número del producto de base | FESB8 |
Características delFESB8DTHE3 - 81
• Conexión de chip pasivada de vidrio
• Tiempo de recuperación muy rápido
• Bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia
• Baja corriente de fuga
• Alta capacidad de oleaje hacia adelante
• Cumple con el nivel MSL 1, por J-STD-020, máximo máximo de LF de 245 °C (para el paquete TO-263AB)
• Sumersión de soldadura a 260 °C, 40 s (para el paquete TO-220AC e ITO-220AC)
• Componente de acuerdo con RoHS 2002/95/CE y RAEE 2002/96/CE
Las aplicaciones deFESB8DTHE3 - 81
Para su uso en rectificadores de alta frecuencia de fuentes de alimentación de modo de conmutación, inversores, diodos de rueda libre, convertidores de CC a CC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deFESB8DTHE3 - 81
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
