• SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W a través del agujero TO-92-3
SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W a través del agujero TO-92-3

SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W a través del agujero TO-92-3

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se aplicarán las siguientes medidas:

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo del transistor: NPN Actual - colector (Ic) (máximo): 1,5 A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 25 V Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: 500 mV @ 80mA, 800mA
Actual - atajo del colector (máximo): 100nA (ICBO) Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo: 1 W Frecuencia - transición: 100 MHz

Descripción de producto

SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W a través del agujero TO-92-3
 
Especificaciones deSe aplicarán las siguientes medidas:
 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  Bipolaridad (BJT)
  Transistores bipolares únicos
El Sr. en semi
Serie -
Paquete Banda cortante (TC)
  Cintas y cajas (TB)
Tipo de transistor NPN (número de origen)
Corriente - colector (Ic) (máximo) 1.5 A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) 25 V
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic 500 mV @ 80mA, 800mA
Corriente - límite del colector (máximo) Se aplicarán las siguientes medidas:
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo 1 W
Frecuencia - Transición 100 MHz
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje A través del agujero
Envase / estuche TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Conducciones moldeadas
Paquete de dispositivos del proveedor TO-92-3
Número del producto de base Las demás:

 
 
Características delSe aplicarán las siguientes medidas:


• Amplificador de salida de 2 W de radios portátiles de clase B con funcionamiento de empuje-tirón
• Complementario de la SS8550
• Corriente del colector: IC = 1,5 A
• Estos dispositivos están libres de Pb−, de halógenos y de BFR y cumplen con RoHS

 


Las aplicaciones deSe aplicarán las siguientes medidas:


Tamaño del PCB: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 pulgadas x 4.5 pulgadas x 0.062 pulgadas) con un tamaño mínimo del patrón de tierra.

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicarán las siguientes medidas:
 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No es aplicable
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
SS8050DTA Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W a través del agujero TO-92-3 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
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