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MBRAF360T3G Componentes electrónicos Diodo 60 V 4A Montaje de superficie SMA-FL
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | MBRAF360T3G |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
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Información detallada |
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| La tensión de corriente continua inversa (Vr) (máximo): | Las demás: | Corriente - promedio rectificado (Io): | 4A |
|---|---|---|---|
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 630 milivoltio @ 3 A | Velocidad: | La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 3 mA @ 60 V | Capacidad @ Vr, F: | - |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | -65 °C ~ 150 °C | ||
Descripción de producto
MBRAF360T3G Componentes electrónicos Diodo 60 V 4A Montaje de superficie SMA-FL
Especificaciones de El objetivo de la medida es:
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Diodos | |
| Rectificadores | |
| Diodos únicos | |
| El Sr. | en semi |
| Serie | - |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tecnología | ¿ Qué es esto? |
| La tensión de corriente continua inversa (Vr) (máximo) | Las demás: |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 4A |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo) | 630 mV @ 3 A |
| Velocidad | La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
| Corriente - fuga inversa @ Vr | 3 mA @ 60 V |
| Capacidad @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | DO-221AC, SMA de conducción plana |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de un sistema de control de la calidad. |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace | -65 °C ~ 150 °C |
| Número del producto de base | Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Características delEl objetivo de la medida es:
• Paquete de bajo perfil para aplicaciones con espacio limitado
• Paquete rectangular para la manipulación automatizada
• Junción pasivada de óxido muy estable
• Temperatura de las uniones de funcionamiento de 150°C
• Anillo de protección contra el estrés
• Prefijo NRVB para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de emplazamiento y control;
AEC-Q101 Calificado y capaz de PPAP
• Se trata de dispositivos libres de Pb y de halogenidos
Las aplicaciones deEl objetivo de la medida es:
Este dispositivo emplea el principio de la barrera de Schottky en un diodo de potencia de metal a silicio de gran área.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deEl objetivo de la medida es:
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
