• 2SC5876 T106Q Transistor bipolar NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Montado en la superficie
2SC5876 T106Q Transistor bipolar NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Montado en la superficie

2SC5876 T106Q Transistor bipolar NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Montado en la superficie

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: 2SC5876 T106Q Las demás

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo del transistor: NPN Actual - colector (Ic) (máximo): 500 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): Las demás: Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Actual - atajo del colector (máximo): 1μA (ICBO) Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 120 @ 50 mA, 2 V
Potencia - máximo: 200 mW Frecuencia - transición: 300 MHz

Descripción de producto

2SC5876 T106Q Transistor bipolar NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Montado en la superficie
 
Especificaciones de 2SC5876 T106Q Las demás

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  Bipolaridad (BJT)
  Transistores bipolares únicos
El Sr. Semiconductores de Rohm
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Estado del producto No para nuevos diseños
Tipo de transistor NPN (número de origen)
Corriente - colector (Ic) (máximo) 500 mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) Las demás:
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles son las siguientes:
Corriente - límite del colector (máximo) 1 μA (ICBO)
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 50 mA, 2 V
Potencia - máximo 200 mW
Frecuencia - Transición 300 MHz
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Paquete de dispositivos del proveedor Unidad de control
Número del producto de base 2SC5876

 

Características del 2SC5876 T106Q Las demás

 

1) Conmutación de alta velocidad (Tf:Typ.:80ns a IC=500mA)
2) Baja tensión de saturación, típicamente (tipo:150mV a IC=100mA, IB=10mA)
3) Potencia de descarga fuerte para carga inductiva y carga de capacidad.
4) Complementa el 2SA2088.


Las aplicaciones de 2SC5876 T106Q Las demás

 

Amplificador de baja frecuencia, conmutador de alta velocidad

 

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación de2SC5876 T106Q Las demás
 

Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

2SC5876 T106Q Transistor bipolar NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Montado en la superficie 0

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 2SC5876 T106Q Transistor bipolar NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW Montado en la superficie ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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