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FDB110N15A N-Canal 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montaje de superficie D2PAK (TO-263)
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | FDB110N15A |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) | Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: |
|---|---|---|---|
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 92A (Tc) | Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef | Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 61 nC @ 10 V | Vgs (máximo): | ± 20 V |
Descripción de producto
FDB110N15A N-Canal 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montaje de superficie D2PAK (TO-263)
Especificaciones de El número de unidades de producción será el siguiente:
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | en semi |
| Serie | PowerTrench® |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 4V @ 250μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4510 pF @ 75 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | D2PAK (TO-263) |
| Envase / estuche | TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB |
| Número del producto de base | FDB110 |
Características del El número de unidades de producción será el siguiente:
• RDS ((on) = 9,25 mΩ (tipo) @ V GS = 10 V, ID = 92 A
• Velocidad de cambio rápida
• Baja carga de la puerta
• Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajos (on)
• Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
Las aplicaciones de El número de unidades de producción será el siguiente:
• Rectificación sincrónica para ATX / servidor / PSU de telecomunicaciones
• Circuito de protección de la batería
• Motores y fuentes de alimentación ininterrumpidas
• Invertidor de energía solar
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de El número de unidades de producción será el siguiente:
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
