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2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3.5 W PCP montado en la superficie
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | 2SA2013-TD-E |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Tipo de transistor: | PNP | Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): | 50V |
|---|---|---|---|
| Actual - colector (Ic) (máximo): | 0.166666667 | Actual - atajo del colector (máximo): | 1μA (ICBO) |
| Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: | Se aplicarán las siguientes medidas: | Potencia - máximo: | 3.5v |
| Frecuencia - transición: | 400 MHz | Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: | 200 @ 500 mA, 2 V |
| Alta luz: | 2SA2013-TD-E,2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP |
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Descripción de producto
2SA2013-TD-E Transistor bipolar PNP 50 V 4 A 400 MHz 3.5 W PCP montado en la superficie
Especificaciones de 2SA2013-TD-E
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| Bipolaridad (BJT) | |
| Transistores bipolares únicos | |
| El Sr. | en semi |
| Serie | - |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Estado del producto | Actividad |
| Tipo de transistor | PNP |
| Corriente - colector (Ic) (máximo) | 0.166666667 |
| Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) | 50 V |
| Vce saturación (máx) @ Ib, Ic | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Corriente - límite del colector (máximo) | 1 μA (ICBO) |
| La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 500 mA, 2 V |
| Potencia - máximo | 3.5 W |
| Frecuencia - Transición | 400 MHz |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Paquete de dispositivos del proveedor | El PCP |
| Base Pro2SA2013-TD-E Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3.5 W Monte de superficie PCPnúmero de conducto | 2A2013 |
Aplicación de 2SA2013-TD-E
• Controladores de relevos, controladores de lámparas, controladores de motor, flash
Características del 2SA2013-TD-E
• Adopción de los procesos FBET y MBIT
• Gran capacidad de corriente
• Baja tensión de saturación del colector al emisor
• Conmutación de alta velocidad
• El paquete ultrapequeño facilita la miniaturización de los productos finales
• Alta disipación de energía permitida
Clasificaciones medioambientales y de exportación de2SA2013-TD-E
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
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