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CPH3362-TL-W MOSFET de canal P IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Montaje de superficie 3-CPH
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 700mA (TA) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4V, 10V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 1.7 Ohm @ 700 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.6V @ 1mA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 3.7 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | El valor de las emisiones de dióxido de carbono |
| Alta luz: | Se aplicará el procedimiento siguiente:,CPH3362-TL-W IC MOSFET de canal P |
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Descripción de producto
CPH3362-TL-W Canal P 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Montaje de superficie 3-CPH
Especificaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | en semi |
| Serie | - |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicarán los siguientes requisitos: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4V, 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 700 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3.7 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | El valor de las emisiones de dióxido de carbono |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 1W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 3-CPH |
| Envase / estuche | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros |
| Número del producto de base | Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Características del Se aplicará el procedimiento siguiente:
* RDS de resistencia encendida (en) 1=1,3Ω (tipo)
* Cumplimiento libre de halógenos
* Unidad de 4 V
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el procedimiento siguiente:
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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