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IRF6713STRPBF Canal N 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc)
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente: |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 22A, 10V |
|---|---|---|---|
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | 25 V | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4.5V y 10V | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 32 nC @ 4,5 V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.4V @ 50μA | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 2880 pF @ 13 V |
Descripción de producto
IRF6713STRPBF Canal N 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc)
Especificaciones deEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Tecnologías Infineon |
| Serie | HEXFET® |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss) | 25 V |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2.4V @ 50μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 32 nC @ 4,5 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2880 pF @ 13 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | DIRECTFETTM SQ |
| Envase / estuche | DirectFETTM Isométrico SQ |
Características delEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:
Conforme a la Directiva RoHS, sin plomo y bromuro
Profil bajo (< 0,7 mm)
El sistema de refrigeración de dos lados es compatible
Inductancia de paquete muy baja
Optimizado para la conmutación de alta frecuencia
Ideal para convertidores de CC-DC del núcleo de la CPU
Optimizado tanto para Sync.FET como para algunas aplicaciones Control FET
Baja conducción y pérdidas de conmutación
Compatible con las técnicas de montaje de superficie existentes
Prueba de Rg del 100%
Descripciones deEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:
The IRF6713SPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0Perfil de.7 mm. El paquete DirectFET es compatible con las geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de energía, equipos de ensamblaje de PCB y técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o de convección,cuando se cumpla la nota de solicitud AN-1035 respecto a los métodos y procesos de fabricaciónEl paquete DirectFET permite un enfriamiento de dos lados para maximizar la transferencia térmica en los sistemas de energía, mejorando la mejor resistencia térmica anterior en un 80%.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:
| Atributo | Descripción |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
