• RF101L2STE25 Diodo de 200 V 1A montado en superficie PMDS Componentes electrónicos
RF101L2STE25 Diodo de 200 V 1A montado en superficie PMDS Componentes electrónicos

RF101L2STE25 Diodo de 200 V 1A montado en superficie PMDS Componentes electrónicos

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se aplicará el procedimiento de ensayo.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): Las demás: Corriente - promedio rectificado (Io): 1a
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): 870 mV @ 1 A Velocidad: La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io): 25 ns Corriente - fuga inversa @ Vr: 10 μA @ 200 V
Tipo de montaje: Montura de la superficie Paquete de dispositivos del proveedor: El PMDS
Alta luz:

Diodo 200 V 1A Componentes electrónicos

,

RF101L2STE25 Componentes electrónicos

,

Componentes electrónicos del PMDS

Descripción de producto

RF101L2STE25 Diodo de 200 V 1A montado en superficie PMDS Componentes electrónicos
 
Especificaciones de Se aplicará el procedimiento de ensayo.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Diodos
  Rectificadores
  Diodos únicos
El Sr. Semiconductor de Rohm
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tecnología Estándar
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo) Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io) 1a
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo) 870 mV @ 1 A
Velocidad La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) 25 ns
Corriente - fuga inversa @ Vr 10 μA @ 200 V
Capacidad @ Vr, F -
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos del proveedor El PMDS
Temperatura de funcionamiento - Enlace 150°C (máximo)
Número del producto de base RF101

 

Características del Se aplicará el procedimiento de ensayo.


1) Tipo de molde de pequeña potencia (PMDS)
2) FV muy baja
3)Velocidad de conmutación ultra alta
4)Baja pérdida de cambio

 

Las aplicaciones de Se aplicará el procedimiento de ensayo.


Corrección general

 

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el procedimiento de ensayo.

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.10.0080

RF101L2STE25 Diodo de 200 V 1A montado en superficie PMDS Componentes electrónicos 0


 

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. RF101L2STE25 Diodo de 200 V 1A montado en superficie PMDS Componentes electrónicos ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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