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FM25H20-DG Sensor de temperatura Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | FM25H20-DG |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| paquete: | Tubo | Situación del producto: | Obsoleto |
|---|---|---|---|
| Tipo de la memoria: | Permanente | Formato de la memoria: | FRAM |
| Tecnología: | FRAM (RAM ferroeléctrico) | Tamaño de la memoria: | 2Mbit |
| Organización de la memoria: | 256K x 8 | Interfaz de la memoria: | SPI |
Descripción de producto
FM25H20-DG Sensor de temperatura Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (RAM ferroeléctrica) Memoria IC 2 Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Especificaciones de FM25H20-DG
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos Integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Fabricante | Tecnologías de Infineon |
| Serie | F-RAM™ |
| Paquete | Tubo |
| Estado del producto | Obsoleto |
| Tipo de memoria | No volátil |
| Formato de memoria | FRAM |
| Tecnología | FRAM (RAM Ferroeléctrica) |
| Tamaño de la memoria | 2Mbit |
| Organización de la memoria | 256K × 8 |
| interfaz de memoria | SPI |
| Frecuencia de reloj | 40 MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página | - |
| Suministro de voltaje | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | Almohadilla expuesta 8-WDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) |
| Número de producto base | FM25H20 |
Caracteristicas deFM25H20-DG
■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 2 Mbit (F-RAM) lógicamenteorganizado como 256 K × 8
- Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
- Retención de datos de 151 años (Ver la Retención de datosytabla de resistencia)
- NoDelay™ escribe
- Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
■ Interfaz de periféricos en serie (SPI) muy rápida
- Hasta 40 MHz de frecuencia
-Reemplazo directo de hardware para serial flash yEEPROM
-Soporta modo SPI 0 (0, 0) y modo 3 (1, 1)
■ Esquema de protección contra escritura sofisticado
-Protección de hardware mediante Write Protect (WP)alfiler
-Protección de software mediante la desactivación de escriturainstrucción
-Protección de bloque de software para 1/4, 1/2 otoda la matriz
■ Bajo consumo de energía
-1 mA de corriente activa a 1 MHz
-80n / A(típico) corriente de espera
-3n / Amodo de suspensión actual
■ Operación de bajo voltaje: VDD = 2,7 V a 3,6 V
■ Temperatura industrial –40 C a +85 C
■ Paquetes
-Circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines (SOIC)paquete
-Paquete delgado dual plano sin cables (TDFN) de 8 pines
■ Restricción de sustancias peligrosas (RoHS)obediente
Aplicaciones deFM25H20-DG
El FM25H20 es una memoria no volátil de 2 Mbit que emplea unproceso ferroeléctrico avanzado.Un acceso aleatorio ferroeléctricola memoria o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escriturassimilar a una RAM.Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años.al mismo tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y el nivel del sistemaproblemas de confiabilidad causados por serial flash, EEPROM y otrosmemorias no volátiles.
Clasificaciones ambientales y de exportación deFM25H20-DG
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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