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Chip de sensor de temperatura CY62157ELL-45ZSXIT Ic Sram 8mbit paralelo 44tsop Ii
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | CY62157ELL-45ZSXIT |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Situación del producto: | Activo | Tipo de la memoria: | Volátil |
|---|---|---|---|
| Formato de la memoria: | SRAM | Tecnología: | SRAM - Asincrónico |
| Tamaño de la memoria: | 8Mbit | Organización de la memoria: | 512K x 16 |
| Interfaz de la memoria: | Paralelo | Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: | 45ns |
Descripción de producto
Chip de sensor de temperatura CY62157ELL-45ZSXIT Ic Sram 8mbit paralelo 44tsop Ii
SRAM - IC de memoria asíncrona 8Mbit paralelo 45 ns 44-TSOP II
Especificaciones de CY62157ELL-45ZSXIT
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos Integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Fabricante | Tecnologías de Infineon |
| Serie | MoBL® |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Estado del producto | Activo |
| Tipo de memoria | Volátil |
| Formato de memoria | SRAM |
| Tecnología | SRAM - Asíncrono |
| Tamaño de la memoria | 8Mbit |
| Organización de la memoria | 512K × 16 |
| interfaz de memoria | Paralelo |
| Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página | 45ns |
| Tiempo de acceso | 45 ns |
| Suministro de voltaje | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
| Número de producto base | CY62157 |
Caracteristicas deCY62157ELL-45ZSXIT
■ Muy alta velocidad: 45 ns
- Industrial: –40 °C a +85 °C
- Automoción-E: –40 °C a +125 °C
■ Amplio rango de voltaje: 4,5 V–5,5 V
■ Energía de reserva ultrabaja
- Corriente de espera típica: 2 A
- Corriente máxima en espera: 8 A (Industrial)
■ Potencia activa ultrabaja
- Corriente activa típica: 1,8 mA a f = 1 MHz
■ Energía de reserva ultrabaja
■ Fácil expansión de memoria con características CE1, CE2 y OE
■ Apagado automático cuando no está seleccionado
■ CMOS para velocidad y potencia óptimas
■ Disponible en paquete VFBGA de 48 bolas y TSOP II de 44 pines sin Pb
Aplicaciones deCY62157ELL-45ZSXIT
La CY62157E es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 512 K palabras por 16 bits.Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja.Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles.El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no se alternan.Coloque el dispositivo en modo de espera cuando no esté seleccionado (CE1 ALTO o CE2 BAJO o BHE y BLE son ALTOS).Los pines de entrada o salida (I/O0 a I/O15) se colocan en un estado de alta impedancia cuando:
■ Deseleccionado (CE1 ALTO o CE2 BAJO)
■ Las salidas están deshabilitadas (EO ALTO)
■ Tanto Byte High Enable como Byte Low Enable están deshabilitados (BHE, BLE HIGH)
■ La operación de escritura está activa (CE1 LOW, CE2 HIGH y WE LOW)
Clasificaciones ambientales y de exportación deCY62157ELL-45ZSXIT
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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