• 8PQFN FDMS5352 Transistor IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A
8PQFN FDMS5352 Transistor IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A

8PQFN FDMS5352 Transistor IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: FDMS5352

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T, L/C
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Situación del producto: Activo Tipo del FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal) Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 13.6A (TA), 49A (Tc) Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 3V @ 250µA
Alta luz:

FDMS5352 transistor IC Mosfet

,

FDMS5352 transistor IC

,

8PQFN FDMS5352

Descripción de producto

FDMS5352 Transistor Circuitos integrados IC Mosfet N-Ch 60v 13.6a/49a 8pqfn

 

Canal N 60 V 13,6 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)

 

Especificaciones de FDMS5352

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos semiconductores discretos
transistores
FET, MOSFET
FET individuales, MOSFET
Fabricante onsemi
Serie PowerTrench®
Paquete Cinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Digi-Reel®
Estado del producto Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 13,6 A (Ta), 49 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 6,7 mOhm a 13,6 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 131 nC a 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6940 pF a 30 V
Función FET -
Disipación de energía (máx.) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
Número de producto base FDMS53

 

Caracteristicas deFDMS5352

 

• Max rbs (encendido) = 6,7 mΩ a Vcs = 10 V, lb = 13,6 A

• Max fbs(on)=8.2mΩa VGs=4.5V,lb=12.3A

• Combinación de paquete avanzado y silicio para bajo ros(on)

• Diseño de paquete robusto MSL1

• 100 % probado por UIL

• RoHS

 

 

APLICACIONESdeFDMS5352

 
• Conversión CC - CC
 

Clasificaciones ambientales y de exportación deFDMS5352

 

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

8PQFN FDMS5352 Transistor IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A 0
 

 

 



 

 

 

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. 8PQFN FDMS5352 Transistor IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.