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BSC900N20NS3GATMA1 Módulo Rf inalámbrico Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | BSC900N20NS3GATMA1 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Situación del producto: | Activo | Tipo del FET: | N-Channelxer |
|---|---|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) | Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 200 V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 15.2A (Tc) | Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 90mOhm @ 7.6A, 10V | Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 30µA |
Descripción de producto
BSC900N20NS3GATMA1 Módulo Rf inalámbrico Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
Canal N 200 V 15,2 A (Tc) 62,5 W (Tc) Montaje en superficie PG-TDSON-8-5
Especificaciones deBSC900N20NS3GATMA1
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET individuales, MOSFET | |
| Fabricante | Tecnologías de Infineon |
| Serie | OptiMOS™ |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 30µA |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11,6 nC a 10 V |
| Vgs (Máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 920 pF a 100 V |
| Función FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 62,5 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-5 |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
| Número de producto base | BSC900 |
Caracteristicas deBSC900N20NS3GATMA1
• Optimizado para conversión dc-dc
• Canal N, nivel normal
• Excelente carga de puerta x R DS(on) producto (FOM)
• Baja resistencia R DS (encendido)
• Temperatura de funcionamiento de 150 °C
• Recubrimiento de plomo libre de Pb;RoHS
• Calificado según JEDEC1) para la aplicación de destino
• Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Información deBSC900N20NS3GATMA1
Para obtener más información sobre tecnología, términos y condiciones de entrega y precios, comuníquese con la oficina de Infineon Technologies más cercana (www.infineon.com).
Clasificaciones ambientales y de exportación deBSC900N20NS3GATMA1
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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