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Ipd60r1k0ceauma1 Módulo Rf inalámbrico Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | IPD60R1K0CEAUMA1 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 3170 PF @ 25 V | Característica del FET: | - |
|---|---|---|---|
| Disipación de poder (máxima): | 94W (Tc) | Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo: | Soporte superficial | Paquete del dispositivo del proveedor: | PG-TO252-3-313 |
| Paquete/caso: | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 | Número bajo del producto: | IPD60N10 |
Descripción de producto
IPD60N10S4L-12 MÓDULO RF INALÁMBRICO MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Canal N 100 V 60 A (Tc) 94 W (Tc) Montaje en superficie PG-TO252-3-313
Especificaciones deIPD60R1K0CEAUMA1
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET individuales, MOSFET | |
| Fabricante | Tecnologías de Infineon |
| Serie | Automoción, AEC-Q101, HEXFET® |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo |
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2,1 V a 46 µA |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 49 nC a 10 V |
| Vgs (Máx.) | ±16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3170 pF a 25 V |
| Función FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 94W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-313 |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63 |
| Número de producto base | IPD60N10 |
Caracteristicas deIPD60R1K0CEAUMA1
• Canal N: modo de mejora
• AEC calificado
• MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo
• Temperatura de funcionamiento de 175 °C
• Producto ecológico (cumple con RoHS)
• 100 % probado en avalanchas
AplicacionesdeIPD60R1K0CEAUMA1
Para más información sobre tecnología, entregatérminos y condiciones y precios, favor de contactarla oficina de Infineon Technologies más cercana (www.
infineon.com).
Clasificaciones ambientales y de exportación deIPD60R1K0CEAUMA1
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Quiere saber más detalles sobre este producto