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IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALELO 84TWBGA
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | Is43dr16640b-25dbli-Tr |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: | 15ns | Tiempo de acceso: | 400 picosegundos |
|---|---|---|---|
| Voltaje - fuente: | 1.7V ~ 1.9V | Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montaje del tipo: | Soporte superficial | Paquete/caso: | 84-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor: | 84-TWBGA (8x12.5) | Número bajo del producto: | IS43DR16640 |
| Alta luz: | IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM,IC DRAM 1GBIT PARALELO 84TWBGA,DRAM IC 1GBIT PARALELO 84TWBGA |
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Descripción de producto
Is25lp040e-Jnle-Tr Módulo Rf inalámbrico Ic Flash 4mbit Spi/Quad 8soic
Is43dr16640b-25dbli-Tr Módulo Rf inalámbrico Ic Dram 1gbit paralelo 84twbga
SDRAM - IC de memoria DDR2 1 Gbit Paralelo 400 MHz 400 ps 84-TWBGA (8x12.5)
Especificaciones de Is43dr16640b-25dbli-Tr
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos Integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Fabricante | ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc. |
| Serie | - |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Estado del producto | No para nuevos diseños. |
| Programable Digi-Key | No verificado |
| Tipo de memoria | Volátil |
| Formato de memoria | DRACMA |
| Tecnología | SDRAM-DDR2 |
| Tamaño de la memoria | 1 Gbit |
| Organización de la memoria | 64M x 16 |
| interfaz de memoria | Paralelo |
| Frecuencia de reloj | 400 MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 400 p. |
| Suministro de voltaje | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | 84-TFBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 84-TWBGA (8x12,5) |
| Número de producto base | IS43DR16640 |
Caracteristicas deIs43dr16640b-25dbli-Tr
Frecuencia de reloj hasta 400MHz
8 bancos internos para operación concurrente
Arquitectura de captación previa de 4 bits
Latencia CAS programable: 3, 4, 5, 6 y 7
Latencia aditiva programable: 0, 1, 2, 3, 4,5y 6
Latencia de escritura = Latencia de lectura-1
Secuencia de Ráfaga Programable: Secuencial ointercalado
Longitud de ráfaga programable: 4 y 8
Comando de Precarga Automático y Controlado
Modo de apagado
Actualización automática y actualización automática
Intervalo de actualización: 7,8 s (8192 ciclos/64 ms)
ODT (terminación en matriz)
Opción de controlador de salida de datos de fuerza débil
Luz estroboscópica de datos diferencial bidireccional(La luz estroboscópica de datos de un solo extremo es una característica opcional)
On-Chip DLL alinea las transiciones DQ y DQscontransiciones CK
DQS# se puede deshabilitar para datos de un solo extremoluz estroboscópica
Lectura estroboscópica de datos compatible (solo x8)
Entradas de reloj diferencial CK y CK#
VDD y VDDQ = 1.8V ± 0.1V
PASR (Actualización automática de matriz parcial)
AplicacionesdeIs43dr16640b-25dbli-Tr
Interfaz SSTL_18
Soporte de bloqueo de tRAS
Temperatura de funcionamiento:Comercial (TA = 0°C a 70°C ; TC = 0°C a85°C)Industrial (TA = -40°C a 85°C; TC = -40°Ca 95°C)Automoción, A1 (TA = -40 °C a 85 °C; TC = -40°C a 95 °C)Automoción, A2 (TA = -40 °C a 105 °C; TC = -40°C a105°C)
Clasificaciones ambientales y de exportación deIs43dr16640b-25dbli-Tr
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
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