 |
PARALELO electrónico 36TFBGA de IC Sram 4MBIT de los chips CI de IS61WV5128EDBLL-10BLI
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | IS61WV5128EDBLL-10BLI |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
|
Información detallada |
|||
| Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: | 10ns | Tiempo de acceso: | 10 ns |
|---|---|---|---|
| Voltaje - fuente: | 2.4V ~ 3.6V | Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montaje del tipo: | Soporte superficial | Paquete/caso: | 36-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor: | 36-TFBGA (6x8) | Número bajo del producto: | IS61WV5128 |
| Alta luz: | IS61WV5128EDBLL-10BLI,PARALELO 36TFBGA de IC Sram 4MBIT,IS61WV5128EDBLL-10BLI IC Sram |
||
Descripción de producto
Módulo inalámbrico Ic Sram 4mbit 36tfbga paralelo de IS61WV5128EDBLL-10BLI Rf
Módulo inalámbrico Ic Sram 4mbit 36tfbga paralelo de IS61WV5128EDBLL-10BLI Rf
SRAM - Memoria asincrónica IC 4Mbit 10 paralelos ns 36-TFBGA (6x8)
Especificaciones de IS61WV5128EDBLL-10BLI
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos integrados (ICs) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Paquete | Bandeja |
| Situación del producto | Activo |
| Digi-Key programable | No verificado |
| Tipo de la memoria | Volátil |
| Formato de la memoria | SRAM |
| Tecnología | SRAM - Asincrónico |
| Tamaño de la memoria | 4Mbit |
| Organización de la memoria | 512K x 8 |
| Interfaz de la memoria | Paralelo |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 10ns |
| Tiempo de acceso | 10 ns |
| Voltaje - fuente | 2.4V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | 36-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 36-TFBGA (6x8) |
| Número bajo del producto | IS61WV5128 |
Características de IS61WV5128EDBLL-10BLI
• Tiempo de acceso de alta velocidad: 8, 10 ns
• Active Power bajo: 85 mW (típicos)
• Poder espera bajo: recurso seguro de 7 mW Cmos (típico)
• Sola fuente de alimentación
— Vdd 2.4V a 3.6V (10 ns)
— ± el 10% (8 ns) de Vdd 3.3V
• Operación completamente estática: ningún reloj o restaura requerido
• Tres salidas del estado
• Ayuda industrial y automotriz de la temperatura
• Disponible sin plomo
• Detección de error y corrección de error
Usos de IS61WV5128EDBLL-10BLI
El ISSI IS61/64WV5128EDBLL es un de alta velocidad, espolones estáticos 4,194,304-bit organizados como 524.288 palabras por 8 pedazos. Se fabrica usando la alta-performanceCMOS tecnología de ISSI. Este proceso altamente confiable juntado con técnicas de diseño innovadoras de circuito, rinde de alto rendimiento
y dispositivos del bajo consumo de energía.
Cuando el CE está ARRIBA (no reelegido como candidato), el dispositivo asume un modo espera en el cual el canbe de la disipación de poder redujo abajo con los niveles de introducción de datos del Cmos. La extensión de memoria fácil se proporciona usando ChipEnable y la salida permite entradas, el CE y OE. El PUNTO BAJO activo escribe permite (NOSOTROS) controla la escritura y la lectura de la memoria. El IS61/64WV5128EDBLL se empaqueta en el JEDEC 44-pinTSOP-II estándar, SOJ de 36 pernos y 36 perno mini BGA (6m m x 8m m).
Clasificaciones ambientales y de la exportación de IS61WV5128EDBLL-10BLI
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
Quiere saber más detalles sobre este producto