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CIRCUITO 8VSSOP del GP 2 del chip de memoria OPAMP de TLV9152QDGKRQ1 EMMC
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | TLV9152QDGKRQ1 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Situación del producto: | Activo | Tipo del amplificador: | Fines generales |
|---|---|---|---|
| Número de circuitos: | 2 | Tipo de la salida: | Carril-a-carril |
| Tarifa de ciénaga: | 20V/µs | Producto del ancho de banda del aumento: | 4,5 megaciclos |
| Actual - prejuicio entrado: | PA 10 | Voltaje - compensación entrada: | µV 125 |
| Alta luz: | TLV9152QDGKRQ1,CIRCUITO 8VSSOP DEL GP 2 DE OPAMP,Chip de memoria de 8VSSOP EMMC |
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Descripción de producto
TLV9152QDGKRQ1 Emmc Chip de memoria Ic Opamp Gp 2 Circuito 8vssop
Amplificador de propósito general 2 circuitos de riel a riel 8-VSSOP
Especificaciones deTLV9152QDGKRQ1
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos Integrados (CI) |
| Lineal | |
| Amplificadores | |
| Instrumentación, amplificadores operacionales, amplificadores de búfer | |
| Fabricante | Instrumentos Texas |
| Serie | Automoción, AEC-Q100 |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo |
| Tipo de amplificador | Propósito general |
| Número de circuitos | 2 |
| Tipo de salida | Riel a riel |
| Velocidad de subida | 20V/µs |
| Producto de ganancia de ancho de banda | 4,5 MHz |
| Corriente - Sesgo de entrada | 10 pA |
| Voltaje - Compensación de entrada | 125 µV |
| Suministro de corriente | 560 µA (x2 canales) |
| Corriente - Salida / Canal | 75mA |
| Voltaje - Intervalo de suministro (Min) | 2,7 V |
| Voltaje: rango de suministro (máx.) | 16 voltios |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSSOP |
Caracteristicas deTLV9152QDGKRQ1
• AEC-Q100 calificado para aplicaciones automotrices
– Grado de temperatura 1: –40°C a +125°C, TA
– Dispositivo HBM ESD clasificación nivel 3A
– Dispositivo CDM ESD clasificación nivel C6
• Baja tensión de compensación: ±125 µV
• Deriva de tensión de compensación baja: ±0,3 µV/°C
• Ruido bajo: 10,8 nV/√Hz a 1 kHz
• Alto rechazo de modo común: 120 dB
• Baja corriente de polarización: ±10 pA
• Entrada y salida de riel a riel
• Amplio ancho de banda: GBW de 4,5 MHz
• Alta velocidad de respuesta: 21 V/µs
• Baja corriente de reposo: 560 µA por amplificador
• Amplio suministro: ±1,35 V a ±8 V, 2,7 V a 16 V
• Rendimiento robusto de EMIRR: filtros EMI/RFI en pines de entrada
Aplicaciones deTLV9152QDGKRQ1
• Optimizado para aplicaciones AEC-Q100 grado 1
• Infoentretenimiento y clúster
• Seguridad pasiva
• Electrónica e iluminación de la carrocería
• Inversor HEV/EV y control de motores
• Cargador integrado (OBC) e inalámbrico
• Sensor de corriente del tren motriz
• Sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS)
• Detección de corriente de lado alto y lado bajo
Clasificaciones ambientales y de exportación deTLV9152QDGKRQ1
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | No aplica |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.33.0001 |
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