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IPP320N20N3GXKSA MOSFET de canal N IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) a través del agujero PG-TO220-3
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos. |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 34A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 10 V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 34A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 90µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 29 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | El valor de las emisiones de dióxido de carbono debe ser igual o superior a: |
| Alta luz: | Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos.,El IC de MOSFET IPP320N20N3GXKSA,IC MOSFET de canal N |
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Descripción de producto
IPP320N20N3GXKSA Canal N 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) a través del agujero PG-TO220-3
Especificaciones de Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos.
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Tecnologías Infineon |
| Serie | OptiMOSTM |
| Paquete | El tubo |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 34A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 4V @ 90μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | El valor de las emisiones de dióxido de carbono debe ser igual o superior a: |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | Las emisiones de gases de efecto invernadero |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del agujero |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| Envase / estuche | TO-220-3 |
| Número del producto de base | Se trata de un sistema de control de la calidad. |
Especificaciones deSe aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos.
• N-canal, nivel normal
• Excelente precio de entrada x R DS (en) producto (FOM)
• Resistencia de encendido muy baja R DS ((en)
• temperatura de funcionamiento de 175 °C
• Plomo libre de Pb; cumple con la normativa RoHS
• Calificado de acuerdo con el JEDEC1) para aplicaciones específicas
• Sin halógenos según la norma IEC 61249-2-21
• Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad de los productos.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
