• BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolar Array 2 PNP (doble) 30V 100mA 100MHz 500mW
BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolar Array 2 PNP (doble) 30V 100mA 100MHz 500mW

BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolar Array 2 PNP (doble) 30V 100mA 100MHz 500mW

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo de transistor: 2 PNP (doble) Actual - colector (Ic) (máximo): 100 mA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: Se aplicarán las siguientes medidas: Actual - atajo del colector (máximo): 15nA (ICBO)
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 30 V Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Potencia - máximo: 500 MW Frecuencia - transición: 100 MHz
Alta luz:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

,

Transistores bipolares de la clase BC858CDXV6T1G

Descripción de producto

BC858CDXV6T1G Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 30V 100mA 100MHz 500mW

 

Especificaciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  Bipolaridad (BJT)
  Arrays de transistores bipolares
El Sr. en semi
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tipo de transistor 2 PNP (doble)
Corriente - colector (Ic) (máximo) El valor de las emisiones
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) 30 V
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Corriente - límite del colector (máximo) Se aplicará el procedimiento siguiente:
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo 500 mW
Frecuencia - Transición 100 MHz
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento (UE) n.o 182/2011.
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de la SOT-563.
Número del producto de base Precursor de la época

 
Características del Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Estos son dispositivos libres de Pb

 

 

 

Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolar Array 2 PNP (doble) 30V 100mA 100MHz 500mW 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolar Array 2 PNP (doble) 30V 100mA 100MHz 500mW ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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