• DMG4822SSD-13 Mosfet Array 30V 10A 1.42W Chips de circuito integrado electrónico Montaje de superficie 8-SO
DMG4822SSD-13 Mosfet Array 30V 10A 1.42W Chips de circuito integrado electrónico Montaje de superficie 8-SO

DMG4822SSD-13 Mosfet Array 30V 10A 1.42W Chips de circuito integrado electrónico Montaje de superficie 8-SO

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se trata de un sistema de control de seguridad.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Configuración: Canal N 2 (dual) Característica del FET: Puerta del nivel de la lógica
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 30V Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 10A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V Vgs(th) (máximo) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 478.9pF @ 16V

Descripción de producto

DMG4822SSD-13 Mosfet Array 30V 10A 1.42WChips de circuito integrado electrónicoMontura de la superficie 8-SO
 
Especificaciones de Se trata de un sistema de control de seguridad.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  FET, MOSFET
  FET, MOSFET Arrays Las matrices de FET, MOSFET y MOSFET se encuentran en las tablas siguientes:
El Sr. Diodos incorporados
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Configuración 2 canales N (doble)
Característica del FET Puerta de nivel lógico
Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss) 30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C 10A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id 3 V @ 250 μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 478.9pF @ 16V
Potencia - máximo 1.42W
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor 8 SO
Número del producto de base Se trata del DMG4822

 
Características del Se trata de un sistema de control de seguridad.
 

* Baja resistencia
* Baja capacidad de entrada
* Baja fuga de entrada/salida
* Resistencia de puerta baja
* Velocidad de cambio rápida
* Completamente libre de plomo y totalmente compatible con la Directiva RoHS (Notas 1 y 2)
* Libre de halógenos y antimonio.

 

Las aplicaciones de Se trata de un sistema de control de seguridad.


* Conmutador de interfaz de propósito general
* Funciones de gestión de energía
* Conversores de corriente continua
* Conmutador analógico


 
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe trata de un sistema de control de seguridad. 

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
DMG4822SSD-13 Mosfet Array 30V 10A 1.42W Chips de circuito integrado electrónico Montaje de superficie 8-SO 0
 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. DMG4822SSD-13 Mosfet Array 30V 10A 1.42W Chips de circuito integrado electrónico Montaje de superficie 8-SO ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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