• DTA114EMT2L Transistor bipolar 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW VMT3 de montaje de superficie
DTA114EMT2L Transistor bipolar 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW VMT3 de montaje de superficie

DTA114EMT2L Transistor bipolar 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW VMT3 de montaje de superficie

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: DTA114EMT2L

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo de transistor: PNP - Prejuiciado Actual - colector (Ic) (máximo): 50 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 50V Resistor - base (R1): 10 kOhms
Resistor - base del emisor (R2): 10 kOhms Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V

Descripción de producto

DTA114EMT2L Transistor bipolar 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Montado en la superficie VMT3
 

Especificaciones de DTA114EMT2L

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  Bipolaridad (BJT)
  Transistores bipolares simples con sesgo previo
El Sr. Semiconductor de Rohm
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tipo de transistor PNP - Prejuiciado
Corriente - colector (Ic) (máximo) 50 mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) 50 V
Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2) 10 kOhms
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles.
Corriente - límite del colector (máximo) 500 nA
Frecuencia - Transición 250 MHz
Potencia - máximo 150 mW
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Se trata de la SOT-723.
Paquete de dispositivos del proveedor VMT3
Número del producto de base DTA114
   

 
Características del DTA114EMT2L


1) Resistencias de sesgo incorporadas, R1 = R2 = 10kΩ
2) Las resistencias de sesgo integradas permiten la configuración de un circuito de inversor sin conectar resistencias de entrada externas (ver circuito interno).
3) Sólo las condiciones de encendido/apagado deben ser establecidas para el funcionamiento, lo que facilita el diseño del circuito.
4) Tipos de NPN complementarios: serie DTC114E

 

 

Las aplicaciones de DTA114EMT2L


El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deDTA114EMT2L

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTA114EMT2L Transistor bipolar 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW VMT3 de montaje de superficie 0
 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. DTA114EMT2L Transistor bipolar 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW VMT3 de montaje de superficie ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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