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M95512-WMN6TP Televisores Diodo Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | M95512-WMN6TP |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T, L/C |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Situación del producto: | Activo | Digi-Key programable: | Verificado |
|---|---|---|---|
| Tipo de la memoria: | Permanente | Formato de la memoria: | EEPROM |
| Tecnología: | EEPROM | Tamaño de la memoria: | 512Kbit |
| Organización de la memoria: | 64K x 8 | Interfaz de la memoria: | SPI |
Descripción de producto
M95512-WMN6TP Televisores Diodo Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Memoria EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC
Especificaciones deM95512-WMN6TP
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Circuitos Integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Fabricante | STMicroelectrónica |
| Serie | - |
| Paquete | Cinta y carrete (TR) |
| Cortar cinta (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Estado del producto | Activo |
| Programable Digi-Key | Verificado |
| Tipo de memoria | No volátil |
| Formato de memoria | EEPROM |
| Tecnología | EEPROM |
| Tamaño de la memoria | 512Kbit |
| Organización de la memoria | 64Kx8 |
| interfaz de memoria | SPI |
| Frecuencia de reloj | 16 MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página | 5ms |
| Suministro de voltaje | 2,5 V ~ 5,5 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Número de producto base | M95512 |
Caracteristicas deM95512-WMN6TP
• Compatible con el bus de interfaz periférica en serie (SPI)
• Matriz de memoria
– 512 Kbit (64 Kbyte) de EEPROM
– Tamaño de página: 128 bytes
– Página adicional bloqueable de escritura (página de identificación)
• Tiempo de escritura
– Byte Write dentro de 5 ms
– Escritura de página en 5 ms
• Protección contra escritura
– matriz de cuartos
– media matriz
– toda la matriz de memoria
• Reloj de alta velocidad: 16 MHz
• Tensión de alimentación única:
– 2,5 V a 5,5 V para M95512-W
– 1,8 V a 5,5 V para M95512-R
– 1,7 V a 5,5 V para M95512-DF
• Rango de temperatura de funcionamiento: desde -40 °C hasta +85 °C
• Protección ESD mejorada
• Más de 4 millones de ciclos de escritura
• Más de 200 años de retención de datos
• Paquetes
– SO8N (ECOPACK2)
– TSSOP8 (ECOPACK2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
– WLCSP8 (ECOPACK2)
Corriente cortada deM95512-WMN6TP
Durante el apagado (disminución continua del voltaje de suministro de VCC por debajo del VCC mínimotensión de funcionamientodefinido en la Sección 9 Parámetros de CC y CA), el dispositivo debe ser:
• deseleccionado (se debe permitir que Chip select S siga el voltaje aplicado en VCC)
• en modo de energía en espera (no debe haber ningún ciclo de escritura interno en curso)
Clasificaciones ambientales y de exportación deM95512-WMN6TP
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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