• Memoria Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd del circuito Sot23-5
Memoria Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd del circuito Sot23-5

Memoria Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd del circuito Sot23-5

Datos del producto:

Lugar de origen: original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: TLV316IDBVR

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T, L/C
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Situación del producto: Activo Tipo del amplificador: Fines generales
Número de circuitos: 1 Tipo de la salida: Carril-a-carril
Tarifa de ciénaga: 6V/µs Producto del ancho de banda del aumento: 10 megaciclos
Actual - prejuicio entrado: PA 10 Voltaje - compensación entrada: µV 750

Descripción de producto

TLV316IDBVR Emmc Chip de memoria Ic Opamp Gp 1 Circuito Sot23-5 296-47219-1-Nd
 
Amplificador de propósito general 1 circuito de riel a riel SOT-23-5

 

Especificaciones deTLV316IDBVR

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Circuitos Integrados (CI)
Lineal
Amplificadores
Instrumentación, amplificadores operacionales, amplificadores de búfer
Fabricante Instrumentos Texas
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Cortar cinta (CT)
Digi-Reel®
Estado del producto Activo
Tipo de amplificador Propósito general
Número de circuitos 1
Tipo de salida Riel a riel
Velocidad de subida 6V/µs
Producto de ganancia de ancho de banda 10 MHz
Corriente - Sesgo de entrada 10 pA
Voltaje - Compensación de entrada 750 µV
Suministro de corriente 400µA
Voltaje - Intervalo de suministro (Min) 1,8 voltios
Voltaje: rango de suministro (máx.) 5,5 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete / Caja SC-74A, SOT-753
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-5
Número de producto base TLV316

 

Caracteristicas deTLV316IDBVR

 

• Ancho de banda de ganancia unitaria: 10 MHz
• CI bajo: 400 µA/canal
– Excelente relación potencia-ancho de banda
– IQ estable sobre temperatura y rango de suministro
• Amplio Rango de Suministro: 1.8 V a 5.5 V
• Ruido bajo: 12 nV/√Hz a 1 kHz
• Baja corriente de polarización de entrada: 10 pA
• Voltaje de compensación: 0,75 mV
• Estable de ganancia unitaria
• Filtro RFI/EMI interno
 

Aplicaciones deTLV316IDBVR

 

• Instrumentos alimentados por batería:
– Consumidor, Industrial, Médico
– Notebooks, reproductores multimedia portátiles
• Acondicionamiento de la señal del sensor
• Escáneres de códigos de barras
• Filtros Activos
• audio

 

Clasificaciones ambientales y de exportación deTLV316IDBVR

 

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 2 (1 año)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

Memoria Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd del circuito Sot23-5 0

 

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Memoria Chip Ic Opamp Gp de TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-Nd del circuito Sot23-5 ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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