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MT41K128M16JT-125 IC de memoria IT:K para 2Gbit paralelo 800 MHz 13,75 ns 96-FBGA
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | MT41K128M16JT-125 LAS TIC: K |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
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Información detallada |
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| Tipo de memoria: | Las sustancias | Formato de memoria: | Dispositivos de almacenamiento |
|---|---|---|---|
| Tecnología: | SDRAM - DDR3L | Tamaño de la memoria: | 2Gbit |
| Organización de la memoria: | el 128M x 16 | Interfaz de memoria: | En paralelo |
| Frecuencia del reloj: | 800 MHz | Tiempo de acceso: | 13.75 ns |
Descripción de producto
MT41K128M16JT-125 IC de memoria IT:K para 2Gbit paralelo 800 MHz 13,75 ns 96-FBGA
La RAM de IC 2GBIT paralelo 96FBGA
Especificaciones deMT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Circuitos integrados (CI) |
| Memoria | |
| El Sr. | Tecnología Micron Inc. |
| Serie | - |
| Paquete | En bruto |
| Estado del producto | Actividad |
| Tipo de memoria | Las sustancias |
| Formato de memoria | Dispositivos de almacenamiento |
| Tecnología | La memoria SDRAM es DDR3L. |
| Tamaño de la memoria | 2Gbit |
| Organización de la memoria | 128M x 16 |
| Interfaz de memoria | En paralelo |
| Frecuencia del reloj | 800 MHz |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | 13.75 ns |
| Voltagem - Suministro | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | Las demás: |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje de aluminio |
| Número del producto de base | MT2M4M2M2M2M2M2M2M2M2 |
Características delMT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283 1,45 V)
• Compatible con el pasado con VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Estroboscopo bidireccional de datos diferencial
• Arquitectura de preencuesta de 8n bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para las señales de datos, estroboscopo y máscara
• La latencia del CAS (READ) programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS (AL) puede programarse
• latencia de CAS (WRITE) programable (CWL)
• Largura de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4 (a través del conjunto de registros de modo [MRS])
• BC4 o BL8 seleccionables en movimiento (OTF)
• Modo de actualización automática
• TC de 95°C
- 64ms, 8192 ciclos de actualización hasta 85°C
32 ms, 8192 ciclos de actualización a > 85°C a 95°C
• Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
Descripciones deMT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
El dispositivo SDRAM DDR3L de 1.35V es una versión de bajo voltaje del dispositivo SDRAM DDR3 de 1.5V. Consulte las especificaciones de la hoja de datos de DDR3 (1.5V) SDRAM cuando se ejecuta en modo compatible de 1.5V.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deMT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
