• NAND512W3A2SN6E FLASH - IC de memoria NAND 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP
NAND512W3A2SN6E FLASH - IC de memoria NAND 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP

NAND512W3A2SN6E FLASH - IC de memoria NAND 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: NAND512W3A2SN6E

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo de la memoria: Permanente Formato de la memoria: FLASH
Tecnología: FLASH - NAND Tamaño de la memoria: 512Mbit
Organización de la memoria: los 64M x 8 Interfaz de la memoria: En paralelo
Escriba la duración de ciclo - palabra, página: 50ns Tiempo de acceso: 50 ns
Voltagem - Suministro: 2.7V ~ 3.6V Temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 85 °C (TA)

Descripción de producto

NAND512W3A2SN6E FLASH - IC de memoria NAND 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP
 
IC FLASH 512MBIT PARALÉL 48TSOP también se utiliza
 
Especificaciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Memoria
El Sr. Tecnología Micron Inc.
Serie -
Paquete Envases
Tipo de memoria No volátiles
Formato de memoria El flash.
Tecnología Las condiciones de los datos de las unidades de control
Tamaño de la memoria 512Mbit
Organización de la memoria 64M x 8
Interfaz de memoria En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página 50 ns
Tiempo de acceso 50 ns
Voltagem - Suministro 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor 48-TSOP
Número del producto de base NAND512: el nombre de la entidad


Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

NAND512W3A2SN6E FLASH - IC de memoria NAND 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP 0

 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. NAND512W3A2SN6E FLASH - IC de memoria NAND 512Mbit paralelo 50 ns 48-TSOP ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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