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M95640-DRDW3TP/K EEPROM Memory IC Chip de circuito integrado de 64 Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | M95640-DRDW3TP/K |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
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Información detallada |
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| Tipo de la memoria: | No volátiles | Formato de la memoria: | EEPROM |
|---|---|---|---|
| Tecnología: | EEPROM | Tamaño de la memoria: | 64Kbit |
| Organización de la memoria: | 8K x 8 | Interfaz de la memoria: | El SPI |
| Frecuencia de reloj: | 20 megaciclos | Escriba la duración de ciclo - palabra, página: | 4ms |
Descripción de producto
M95640-DRDW3TP/K EEPROM Memory IC Chip de circuito integrado de 64 Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
Especificaciones deM95640-DRDW3TP/K
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Circuitos integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| El Sr. | STMicroelectrónica |
| Serie | Automotriz, AEC-Q100 |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Estado del producto | Actividad |
| DigiKey es programable | No verificado |
| Tipo de memoria | No volátiles |
| Formato de memoria | EEPROM |
| Tecnología | EEPROM |
| Tamaño de la memoria | 64Kbit |
| Organización de la memoria | 8K x 8 |
| Interfaz de memoria | El SPI |
| Frecuencia del reloj | 20 MHz |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | 4 ms |
| Voltagem - Suministro | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-TSSOP |
| Número del producto de base | M95640 |
Características delM95640-DRDW3TP/K
• Compatible con el bus de interfaz periférica en serie (SPI)
• Matriz de memoria
¢ 64 Kbit (8 Kbyte) de EEPROM
️ Tamaño de página: 32 bytes
Protección de escritura por bloque: 1/4, 1/2 o memoria completa
Página adicional de escritura bloqueable (página de identificación)
• Ampliación de los rangos de temperatura y de tensión
Hasta 125 °C (VCC de 1,7 V a 5,5 V)
Hasta 145 °C (VCC de 2,5 V a 5,5 V)
• Frecuencia del reloj de alta velocidad
️ 20 MHz para VCC ≥ 4,5 V
️ 10 MHz para VCC ≥ 2,5 V
Se aplicará una frecuencia de 5 MHz para VCC ≥ 1,7 V.
• Entradas de disparador Schmitt para filtración de ruido
• Tiempo de ciclo de escritura corto
Byte Escribir dentro de 4 ms
Página Escribir en 4 ms
• Escriba la resistencia del ciclo
4 millones de ciclos de escritura a 25 °C
¥ 1,2 millones Ciclos de escritura a 85 °C
600 k Ciclos de escritura a 125 °C
400 k Ciclos de escritura a 145 °C
• Conservación de datos
50 años a 125 °C
- 100 años a 25 °C
• Protección ESD (modelo del cuerpo humano)
¥ 4000 V
• Los paquetes
¢ Compatible con la Directiva RoHS y libre de halógenos (ECOPACK2®)
Las aplicaciones deM95640-DRDW3TP/K
El M95640-A125 y el M95640-A145 son EEPROM serie de 64 Kbits de grado automotriz que funcionan hasta 145 °C.Son compatibles con el muy alto nivel de fiabilidad definido por la norma automotriz AEC-Q100 grado 0.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deM95640-DRDW3TP/K
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
