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TC58NVG1S3HTA00 Flash NAND SLC Memoria IC 2Gbit paralelo 25 Ns 48-TSOP
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | TC58NVG1S3HTA00 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Tipo de memoria: | No volátiles | Formato de memoria: | El flash. |
|---|---|---|---|
| Tecnología: | El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de | Tamaño de la memoria: | 2Gbit |
| Organización de la memoria: | 256Mx8 | Interfaz de memoria: | En paralelo |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: | 25ns | Tiempo de acceso: | 25 ns |
| Alta luz: | TC58NVG1S3HTA00,IC de memoria 48-TSOP |
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Descripción de producto
TC58NVG1S3HTA00 FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 2Gbit paralelo 25 ns 48-TSOP
Especificaciones deTC58NVG1S3HTA00
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Circuitos integrados (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| El Sr. | Kioxia América, Inc. |
| Serie | - |
| Paquete | Envases |
| Estado del producto | Actividad |
| Tipo de memoria | No volátiles |
| Formato de memoria | El flash. |
| Tecnología | El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga |
| Tamaño de la memoria | 2Gbit |
| Organización de la memoria | 256M x 8 |
| Interfaz de memoria | En paralelo |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | 25 días |
| Tiempo de acceso | 25 ns |
| Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Envase / estuche | 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 48-TSOP I |
| Número del producto de base | TC58NVG1 |
Características del TC58NVG1S3HTA00
* Organizaciones
- La matriz de células de memoria 2176 128K 8
- Registro 2176 8
- Tamaño de la página 2176 bytes
- Tamaño del bloque (128K 8K) bytes
* Modos
- Leer, restablecer, programa de página automático, borrar bloque automático, estado de lectura, copia de página,
- Programa de múltiples páginas, borrado de bloques, copia de páginas, lectura de páginas.
* Control del modo
- Entrada/salida en serie
- Control de mando.
* Número de bloques válidos
- Bloques mínimos de 2008
- Máximo 2048 cuadras
* Fuente de alimentación
- VCC de 2,7 a 3,6 V
* Tiempo de acceso
- El conjunto de celdas para registrar 25 ¢ s max.
- Tiempo de lectura del ciclo 25 ns min (CL=50pF)
* Tiempo de programación/borrado
- Programa de páginas automáticas 300 ¢s por página.
- Eliminación automática de bloqueo 2.5 ms por bloqueo.
* Corriente de funcionamiento
- Lectura (25 ns ciclo) 30 mA máximo
- Programa (promedio) 30 mA máximo
- Borrado (promedio) 30 mA máximo
- En estado de espera 50 A max.
Introducciones de TC58NVG1S3HTA00
El TC58NVG1S3HTA00 es un único 3.3V 2Gbit (2,281,701,376 bits) NAND Memoria de solo lectura borrable y programable (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 128) bytes 64 páginas 2048 bloques.
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de TC58NVG1S3HTA00
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | 3A991A2 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
