AT28C256-15PU EEPROM Memoria IC 256Kbit paralelo 150 Ns 28-PDIP
Datos del producto:
Lugar de origen: | El original |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | AT28C256-15PU |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 100,000 |
Información detallada |
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Tipo de memoria: | No volátiles | Formato de memoria: | EEPROM |
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Tamaño de la memoria: | 256 Kbit | Organización de la memoria: | 32K x 8 |
Interfaz de memoria: | En paralelo | Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página: | 10 ms |
Tiempo de acceso: | 150 ns | Voltagem - Suministro: | 4.5V ~ 5.5V |
Alta luz: | AT28C256-15PU,Las unidades de memoria de EEPROM de las que se trate se utilizarán en el caso de las unidades de memoria de EEPROM de las que se trate |
Descripción de producto
ACS758LCB-100U Sensor de corriente 100A 1 canal Efecto de Hall bucle abierto unidireccional 5-CB
Especificaciones de El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga
Tipo de producto | Descripción |
Categoría | Circuitos integrados (CI) |
Memoria | |
Memoria | |
El Sr. | Tecnología de microchips |
Serie | - |
Paquete | El tubo |
Tipo de memoria | No volátiles |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 256 Kbit |
Organización de la memoria | 32K x 8 |
Interfaz de memoria | En paralelo |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | 10 ms |
Tiempo de acceso | 150 ns |
Voltagem - Suministro | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
Tipo de montaje | A través del agujero |
Envase / estuche | La longitud de la banda es igual a la longitud de la banda. |
Paquete de dispositivos del proveedor | 28-PDIP |
Número del producto de base | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Especificaciones deEl número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga
• Tiempo de acceso rápido a la lectura: 150 ns
• Operación de escritura automática de páginas:
Organizado internamente como 32,768 x 8 (256K)
Dirección interna y bloqueo de datos para 64 bytes
¢ Temporizador de control interno
• Tiempo de ciclo de escritura rápido:
Tiempo de ciclo de escritura de la página: 3 ms o 10 ms como máximo
Operación de escritura de página de 1 a 64 bytes
• Dissipación de baja potencia:
Corriente activa de 50 mA
Corriente de espera CMOS de 200 μA
• Protección de datos de hardware y software
• Encuesta de datos para la detección de final de escritura
• Tecnología CMOS de alta fiabilidad:
¢ Resistencia: 10.000 o 100.000 ciclos
¢ Conservación de los datos: 10 años
• Alimentación única de 5 V ± 10%
• Entradas y salidas compatibles con CMOS y TTL
• JEDEC®
Aprobación de salida de byte
• Rango de temperaturas industriales
La introducción deEl número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga
El AT28C256 es una memoria EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory) de alto rendimiento. Su memoria de 256 KB está organizada en 32.768 palabras por 8 bits.Fabricado con tecnología CMOS no volátil avanzada de Microchip, el dispositivo ofrece tiempos de acceso de 150 ns con una disipación de energía de solo 440 mW. Cuando el dispositivo está desactivado, la corriente de espera CMOS es inferior a 200 μA.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deEl número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga
Atributo | Descripción |
Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
Estatus de REACH | REACH No afectado |
El número de personas | El EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0051 |