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BSC900N20NS3G MOSFET de canal N IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Montaje de superficie PG-TDSON-8-5
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en función de las condiciones de pr |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 15.2A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 10 V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 90mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 30µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 11.6 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 920 pF @ 100 V |
| Alta luz: | Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en función de las condiciones de producción y de las condiciones de producción.,El sistema de circuito integrado MOSFET de canal N BSC900N20NS3G |
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Descripción de producto
BSC900N20NS3G N-Canal 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Montaje de superficie PG-TDSON-8-5
Especificaciones deLas condiciones de las condiciones de producción se determinarán en función de las condiciones de producción y de las condiciones de producción.
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Tecnologías Infineon |
| Serie | OptiMOSTM |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de desagüe a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 4V @ 30μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 11.6 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 62.5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de una prueba de detección. |
| Envase / estuche | El número de unidades de carga de la unidad |
| Número del producto de base | BSC900 |
Características del Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en función de las condiciones de producción y de las condiciones de producción.
• Optimizado para la conversión CC-CC
• N-canal, nivel normal
• Excelente precio de entrada x R DS (en) producto (FOM)
• Baja resistencia de encendido R DS (encendido)
• Temperatura de funcionamiento de 150 °C
• Plomo libre de Pb; conforme con la normativa RoHS
• Calificado de acuerdo con el JEDEC1) para aplicaciones específicas
• Sin halógenos según la norma IEC 61249-2-21
Clasificaciones medioambientales y de exportación deLas condiciones de las condiciones de producción se determinarán en función de las condiciones de producción y de las condiciones de producción.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
