• IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Paquete: Envases Tipo de memoria: Las sustancias
Formato de memoria: Dispositivos de almacenamiento Tamaño de la memoria: 128Mbit
Organización de la memoria: 8M x 16 Interfaz de memoria: En paralelo
Frecuencia del reloj: 166 MHz

Descripción de producto

IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5,4 ns 54-TSOP II
 
Especificaciones de Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Circuitos integrados (CI)
  Memoria
  Memoria
El Sr. ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Serie -
Paquete Envases
Tipo de memoria Las sustancias
Formato de memoria Dispositivos de almacenamiento
Tecnología SDRAM
Tamaño de la memoria 128Mbit
Organización de la memoria 8M x 16
Interfaz de memoria En paralelo
Frecuencia del reloj 166 MHz
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso 5.4 ns
Voltagem - Suministro 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamiento 0 °C ~ 70 °C (TA)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 54-TSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Paquete de dispositivos del proveedor Se aplicará el procedimiento siguiente:
Número del producto de base Se aplicará a los productos de la categoría II.

 
Características del IS42S16800F-6TL


• Frecuencia del reloj: 200, 166, 143 MHz
• Completamente sincronizado; todas las señales se refieren a un borde positivo del reloj
• Banco interno para el acceso/precarga de la fila de escondites
• Fuente de alimentación Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3,3 V 3,3 V
-IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• Interfaz LVTTL
• Duración de la ráfaga programable
️ (1, 2, 4, 8, página completa)
• Secuencia de explosión programable: Secuencial/Interleave
• Actualización automática (CBR)
• Refrescarse
• 4096 ciclos de actualización cada 16 ms (grado A2) o 64 ms (grado comercial, industrial, A1)
• Dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• latencia del CAS programable (2, 3 horas)
• Capacidad de lectura/escritura rápida y de lectura/escritura rápida
• Terminación del estallido por comando de parada del estallido y precarga
• Rango de temperaturas:
- Comercial (0 °C a + 70 °C)
- Industriales (de -40 °C a +85 °C)
- Automóvil, A1 (-40o C a +85o C)
- Automóvil, A2 (de -40°C a +105°C)
 
Descripciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 


La SDRAM de 128 Mb es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico de alta velocidad diseñada para operar en sistemas de memoria de 3.3 Vdd y 3.3 Vddq que contienen 134,217728 bits. ¿Qué es eso?

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8542.32.0002

 
IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II 0
 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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