IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Datos del producto:
Lugar de origen: | El original |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 100,000 |
Información detallada |
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Paquete: | Envases | Tipo de memoria: | Las sustancias |
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Formato de memoria: | Dispositivos de almacenamiento | Tamaño de la memoria: | 128Mbit |
Organización de la memoria: | 8M x 16 | Interfaz de memoria: | En paralelo |
Frecuencia del reloj: | 166 MHz |
Descripción de producto
IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit paralelo a 166 MHz 5,4 ns 54-TSOP II
Especificaciones de Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Tipo de producto | Descripción |
Categoría | Circuitos integrados (CI) |
Memoria | |
Memoria | |
El Sr. | ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc. |
Serie | - |
Paquete | Envases |
Tipo de memoria | Las sustancias |
Formato de memoria | Dispositivos de almacenamiento |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 128Mbit |
Organización de la memoria | 8M x 16 |
Interfaz de memoria | En paralelo |
Frecuencia del reloj | 166 MHz |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | - |
Tiempo de acceso | 5.4 ns |
Voltagem - Suministro | 3 V ~ 3,6 V |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 54-TSOP (0,400", ancho de 10,16 mm) |
Paquete de dispositivos del proveedor | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Número del producto de base | Se aplicará a los productos de la categoría II. |
Características del IS42S16800F-6TL
• Frecuencia del reloj: 200, 166, 143 MHz
• Completamente sincronizado; todas las señales se refieren a un borde positivo del reloj
• Banco interno para el acceso/precarga de la fila de escondites
• Fuente de alimentación Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3,3 V 3,3 V
-IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• Interfaz LVTTL
• Duración de la ráfaga programable
️ (1, 2, 4, 8, página completa)
• Secuencia de explosión programable: Secuencial/Interleave
• Actualización automática (CBR)
• Refrescarse
• 4096 ciclos de actualización cada 16 ms (grado A2) o 64 ms (grado comercial, industrial, A1)
• Dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj
• latencia del CAS programable (2, 3 horas)
• Capacidad de lectura/escritura rápida y de lectura/escritura rápida
• Terminación del estallido por comando de parada del estallido y precarga
• Rango de temperaturas:
- Comercial (0 °C a + 70 °C)
- Industriales (de -40 °C a +85 °C)
- Automóvil, A1 (-40o C a +85o C)
- Automóvil, A2 (de -40°C a +105°C)
Descripciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
La SDRAM de 128 Mb es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico de alta velocidad diseñada para operar en sistemas de memoria de 3.3 Vdd y 3.3 Vddq que contienen 134,217728 bits. ¿Qué es eso?
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Atributo | Descripción |
Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
Estatus de REACH | REACH No afectado |
El número de personas | El EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0002 |