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TPH2R306NH1, soporte superficial del avance del canal N 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP del LQ
Datos del producto:
| Lugar de origen: | original |
| Nombre de la marca: | Original |
| Certificación: | Original |
| Número de modelo: | TPH2R306NH1, LQ |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
| Tiempo de entrega: | días 1-3working |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 |
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Información detallada |
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| Número de parte: | TPH2R306NH1, LQ | Tipo del FET: | Canal N |
|---|---|---|---|
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 60 V | Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 6.5V, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 4V @ 1mA | Vgs (máximo): | ±20V |
Descripción de producto
TPH2R306NH1, soporte superficial del avance del canal N 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP del LQ
Canal N 60 V 136A (Tc) 800mW (TA), avance superficial del soporte 170W (Tc) 8-SOP (5x5.75)
Características de TPH2R306NH1, LQ
Tipo canal N del FET
MOSFET de la tecnología (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 136A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Identificación 4V @ 1mA de Vgs (th) (máximo) @
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs ±20V (máximo)
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 6100 PF @ 30 V
Disipación de poder 800mW (máximo) (TA), 170W (Tc)
Especificaciones de TPH2R306NH1, LQ
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Mfr
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Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
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Serie
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U-MOSVIII-H
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Producto
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TPH2R306NH1, LQ
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Tipo del FET
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Canal N
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| Paquete | Cinta y carrete |
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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60 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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136A (Tc)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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6.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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2.3mOhm @ 50A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 1mA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
|
72 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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6100 PF @ 30 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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800mW (TA), 170W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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150°C
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Avance 8-SOP (5x5.75)
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Paquete/caso
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8-PowerTDFN
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Clasificaciones ambientales y de la exportación
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
