• Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF
Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF

Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF

Datos del producto:

Lugar de origen: Original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: HEF4013BTT, 118

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja del cartón
Tiempo de entrega: días 1-3working
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100.000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Frecuencia: 1.8GHz ~ 2.2GHz Aumento: 14.4dB
Figura de ruido: 0.85dB Voltaje - fuente: 1.5V ~ 3.1V
Actual - fuente: 5.8mA Frecuencia de la prueba: 2.2GHz
Alta luz:

Microprocesador del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF

,

microprocesador del circuito integrado 2.2GHz

Descripción de producto

Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON (1.1x0.7) del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF

 

BGS8M2 IC RF AMPERIO 1.8GHZ-2.2GHZ 6XSON

 

Especificaciones de BGS8M2/BGS8M2X

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría RF y radio
Amplificadores del RF
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Corte la cinta (los CT)
Situación del producto Activo
Frecuencia 1.8GHz ~ 2.2GHz
P1dB -
Aumento 14.4dB
Figura de ruido 0.85dB
Tipo del RF -
Voltaje - fuente 1.5V ~ 3.1V
Actual - fuente 5.8mA
Frecuencia de la prueba 2.2GHz
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-XFDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 6-XSON (1.1x0.7)
Número bajo del producto BGS8M2

 
Características de BGS8M2/BGS8M2X


• Frecuencia de funcionamiento a partir de 1805 megaciclo a 2200 megaciclos
• Figura de ruido = 0,85 DB
• DB 14,4 del aumento
• El alto entró 1 punto de la compresión del DB del dBm -3,5
• Pérdida de inserción del interruptor de puente de DB 2,2
• Alto en la banda IP3i del dBm 3,5
• Voltaje de fuente 1,5 V a 3,1 V
• Uno mismo-proteger concepto del paquete
• Fuente integrada que desempareja el condensador
• Funcionamiento optimizado en una corriente de la fuente de 5,8 mA
• Consumo actual del modo del poder-abajo < 1=""> • La temperatura integrada estabilizó el prejuicio para el diseño fácil
• Requiera solamente una entrada que hace juego el inductor
• La entrada y la salida DC desemparejaron
• Protección del ESD en todos los pernos (HBM > 2 kilovoltios)
• El hacer juego integrado para la salida
• Disponible en el paquete sin plomo 1,1 milímetro x de 6 pernos 0,7 milímetros x 0,37 milímetros; echada de 0,4 milímetros: SOT1232
• 180 gigahertz de la frecuencia del tránsito - SiGe: Tecnología de C
• Nivel 1 de la sensibilidad de humedad

 

 

Usos de BGS8M2/BGS8M2X


• LNA para la recepción de LTE en teléfonos elegantes
• Teléfonos de la característica
• Tablet PC
• Módulos anticipados del RF

 

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de BGS8M2/BGS8M2X

 

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

 

Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF 0

 


 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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