Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF
Datos del producto:
Lugar de origen: | Original |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | HEF4013BTT, 118 |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
---|---|
Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja del cartón |
Tiempo de entrega: | días 1-3working |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 100.000 |
Información detallada |
|||
Frecuencia: | 1.8GHz ~ 2.2GHz | Aumento: | 14.4dB |
---|---|---|---|
Figura de ruido: | 0.85dB | Voltaje - fuente: | 1.5V ~ 3.1V |
Actual - fuente: | 5.8mA | Frecuencia de la prueba: | 2.2GHz |
Alta luz: | Microprocesador del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF,microprocesador del circuito integrado 2.2GHz |
Descripción de producto
Microprocesador 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-XSON (1.1x0.7) del circuito integrado del amplificador de BGS8M2 RF
BGS8M2 IC RF AMPERIO 1.8GHZ-2.2GHZ 6XSON
Especificaciones de BGS8M2/BGS8M2X
TIPO | DESCRIPCIÓN |
Categoría | RF y radio |
Amplificadores del RF | |
Serie | - |
Paquete | Cinta y carrete (TR) |
Corte la cinta (los CT) | |
Situación del producto | Activo |
Frecuencia | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
P1dB | - |
Aumento | 14.4dB |
Figura de ruido | 0.85dB |
Tipo del RF | - |
Voltaje - fuente | 1.5V ~ 3.1V |
Actual - fuente | 5.8mA |
Frecuencia de la prueba | 2.2GHz |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete/caso | 6-XFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-XSON (1.1x0.7) |
Número bajo del producto | BGS8M2 |
Características de BGS8M2/BGS8M2X
• Frecuencia de funcionamiento a partir de 1805 megaciclo a 2200 megaciclos
• Figura de ruido = 0,85 DB
• DB 14,4 del aumento
• El alto entró 1 punto de la compresión del DB del dBm -3,5
• Pérdida de inserción del interruptor de puente de DB 2,2
• Alto en la banda IP3i del dBm 3,5
• Voltaje de fuente 1,5 V a 3,1 V
• Uno mismo-proteger concepto del paquete
• Fuente integrada que desempareja el condensador
• Funcionamiento optimizado en una corriente de la fuente de 5,8 mA
• Consumo actual del modo del poder-abajo < 1="">
• La temperatura integrada estabilizó el prejuicio para el diseño fácil
• Requiera solamente una entrada que hace juego el inductor
• La entrada y la salida DC desemparejaron
• Protección del ESD en todos los pernos (HBM > 2 kilovoltios)
• El hacer juego integrado para la salida
• Disponible en el paquete sin plomo 1,1 milímetro x de 6 pernos 0,7 milímetros x 0,37 milímetros; echada de 0,4 milímetros: SOT1232
• 180 gigahertz de la frecuencia del tránsito - SiGe: Tecnología de C
• Nivel 1 de la sensibilidad de humedad
Usos de BGS8M2/BGS8M2X
• LNA para la recepción de LTE en teléfonos elegantes
• Teléfonos de la característica
• Tablet PC
• Módulos anticipados del RF
Clasificaciones ambientales y de la exportación de BGS8M2/BGS8M2X
CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.33.0001 |