NTS4409NT1G MOSFET de canal N 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Monte de superficie SC-70-3 SOT323
Datos del producto:
Lugar de origen: | originales |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | NTS4409NT1G |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
Tiempo de entrega: | 3-5 días |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 1000 |
Información detallada |
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Tipo del FET: | Canal N | Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): | 25 V | Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 700mA (TA) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 2.7V, 4.5V | Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 350mOhm @ 600mA, 4.5V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 1.5V @ 250µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 1,5 nC @ 4,5 V |
Vgs (máximo): | ±8V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 60 pF @ 10 V |
Alta luz: | NTS4409NT1G,NTS4409NT1G MOSFET de canal N |
Descripción de producto
NTS4409NT1G N-Canal 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Montado en la superficie SC-70-3 (SOT323)
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 para el uso en las instalaciones de la Unión Europea
Especificaciones deNo se puede utilizar.
Tipo de producto | Descripción |
Categoría | Productos discretos de semiconductores |
FET y MOSFET individuales | |
El Sr. | en semi |
Serie | - |
Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
Estado del producto | Actividad |
Tipo de FET | N-canal |
Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | 25 V |
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicarán los siguientes requisitos: |
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 2.7V, 4.5V |
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Vgs(th) (máximo) @ Id | 1.5V @ 250 μA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 1.5 nC @ 4,5 V |
Vgs (máximo) | ± 8V |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
Característica del FET | - |
Disposición de energía (máximo) | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Paquete de dispositivos del proveedor | Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes: |
Envase / estuche | SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas. |
Número del producto de base | NTS4409 y NTS4409 |
Características delNo se puede utilizar.
• Tecnología planar avanzada para conmutación rápida, RDS bajo ((on))
• Mayor eficiencia y mayor duración de la batería
• AEC-Q101 Calificado y capaz de PPAP − NVS4409N
• Estos dispositivos están libres de Pb− y cumplen con la normativa RoHS
Especificaciones deNo se puede utilizar.
• Conversor de impulso y de carga
• Interruptor de carga
• Protección de la batería
Clasificaciones medioambientales y de exportación deNo se puede utilizar.
Atributo | Descripción |
Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
Estatus de REACH | REACH No afectado |
El número de personas | El EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |