• NTS4409NT1G MOSFET de canal N 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Monte de superficie SC-70-3 SOT323
NTS4409NT1G MOSFET de canal N 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Monte de superficie SC-70-3 SOT323

NTS4409NT1G MOSFET de canal N 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Monte de superficie SC-70-3 SOT323

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: NTS4409NT1G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo del FET: Canal N Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 25 V Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 700mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 1.5V @ 250µA Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 1,5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo): ±8V Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Alta luz:

NTS4409NT1G

,

NTS4409NT1G MOSFET de canal N

Descripción de producto

NTS4409NT1G N-Canal 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Montado en la superficie SC-70-3 (SOT323)
 
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 para el uso en las instalaciones de la Unión Europea
 
Especificaciones deNo se puede utilizar.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
FET y MOSFET individuales
El Sr. en semi
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
Estado del producto Actividad
Tipo de FET N-canal
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) 25 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C Se aplicarán los siguientes requisitos:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 2.7V, 4.5V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Vgs(th) (máximo) @ Id 1.5V @ 250 μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ± 8V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 60 pF @ 10 V
Característica del FET -
Disposición de energía (máximo) Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes:
Envase / estuche SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base NTS4409 y NTS4409

 
Características del
No se puede utilizar.


• Tecnología planar avanzada para conmutación rápida, RDS bajo ((on))
• Mayor eficiencia y mayor duración de la batería
• AEC-Q101 Calificado y capaz de PPAP − NVS4409N
• Estos dispositivos están libres de Pb− y cumplen con la normativa RoHS

 


Especificaciones deNo se puede utilizar.

• Conversor de impulso y de carga
• Interruptor de carga
• Protección de la batería

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deNo se puede utilizar.

 
Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 

NTS4409NT1G MOSFET de canal N 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Monte de superficie SC-70-3 SOT323 0


 

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. NTS4409NT1G MOSFET de canal N 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Monte de superficie SC-70-3 SOT323 ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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