• Transistor bipolar pre-biasado EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW
Transistor bipolar pre-biasado EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW

Transistor bipolar pre-biasado EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Actual - colector (Ic) (máximo): El valor de las emisiones de CO2 Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 50 V
Resistor - base (R1): 47 kilohms, 10 kilohms Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el méto Actual - atajo del colector (máximo): 500nA
Poder - máximo: 500 MW Tipo de montaje: Montura de la superficie

Descripción de producto

Transistor bipolar pre-biasado EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW
 
Especificaciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  Bipolaridad (BJT)
  Arrays de transistores bipolares, pre-biasados
El Sr. en semi
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Estado del producto Actividad
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-sesgado (doble)
Corriente - colector (Ic) (máximo) El valor de las emisiones de CO2
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) 50 V
Resistencia - Base (R1) 47 kilohms, 10 kilohms
Resistencia - Base del emisor (R2) 47 kOhms
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones.
Corriente - límite del colector (máximo) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - máximo 500 mW
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Los Estados miembros deberán adoptar las medidas necesarias para garantizar la aplicación de las disposiciones del presente Reglamento.
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de la SOT-563.
Número del producto de base Se trata de un sistema de control basado en el sistema de control basado en el sistema de control.

 
Características delSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.


• Simplifica el diseño de circuitos
• Reduce el espacio del tablero
• Reduce el número de componentes
• Prefijo NSV para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de emplazamiento y control; AEC-Q101 calificado y capaz de PPAP
• Se trata de dispositivos libres de Pb


Las aplicaciones deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.


El BRT (Bias Resistor Transistor) contiene un solo transistor con una red de sesgo monolítica que consta de dos resistencias; una resistencia base en serie y una resistencia base-emittente.
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación de
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 
Transistor bipolar pre-biasado EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Transistor bipolar pre-biasado EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
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