• HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montado de superficie LFPAK
HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montado de superficie LFPAK

HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montado de superficie LFPAK

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: HAT1072H-EL-E: el número de unidad

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: 3-5 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo del FET: Núcleo de tambor, cuerda de alambre Material - base: Ferrita
Inductividad: 6.8 μH Las normas de seguridad: ± 20%
Grado actual (amperios): 0.083333333 Protección: Sin blindaje
Resistencia de DC (DCR): 103.6mOhm máximo Frecuencia - uno mismo resonante: 25MHz
Alta luz:

HAT1072H-EL-E: el número de unidad

,

HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P

Descripción de producto

HAT1072H-EL-E P-Canal 30 V 40A (Ta) 30W (Tc) Montaje de superficie LFPAK
 
Especificaciones deHAT1072H-EL-E: el número de unidad

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  FET, MOSFET
  FET y MOSFET individuales
El Sr. Renesas Electronics América Inc.
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
Estado del producto Actividad
Tipo de FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) 30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 4Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Vgs(th) (máximo) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs El contenido de dióxido de carbono en el contenido de dióxido de carbono
Vgs (máximo) +10V, -20V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 9500 pF @ 10 V
Característica del FET -
Disposición de energía (máximo) 30 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor LFPAK
Envase / estuche El número de los certificados y certificados es el siguiente:
Número del producto de base HAT1072: el número de unidad

 

 

Características delHAT1072H-EL-E: el número de unidad


• Capaz de conducción de puertas de 4,5 V
• Baja corriente de accionamiento
• Instalación de alta densidad
• RDS de baja resistencia (encendido) = 3,6 mΩ tipo (a VGS = 10 V)

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deHAT1072H-EL-E: el número de unidad
 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montado de superficie LFPAK 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. HAT1072H-EL-E MOSFET de canal P 30 V 40 A (Ta) 30 W (Tc) Montado de superficie LFPAK ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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