• Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se considerarán en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros.
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se considerarán en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros.

Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se considerarán en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros.

Datos del producto:

Lugar de origen: El original
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C.

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Detalles de empaquetado: Caja de cartón
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Información detallada

Tecnología: MOSFET (óxido de metal) Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 8 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): 1.2V, 4.5V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Se aplicarán las siguientes medidas: Vgs(th) (máximo) @ Id: Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Vgs (máximo): ± 5V

Descripción de producto

SIA427DJ-T1-GE3 Chip de circuito integrado P-canal 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6

 

Especificaciones deLas medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C.

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  FET, MOSFET
  FET y MOSFET individuales
El Sr. Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tipo de FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) 8 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 1.2V, 4.5V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs Se aplicarán las siguientes medidas:
Vgs(th) (máximo) @ Id Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 50 nC @ 5 V
Vgs (máximo) ± 5V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2300 pF @ 4 V
Característica del FET -
Disposición de energía (máximo) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Número del producto de base Las condiciones de los productos

 
 
Características delLas medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C.

 

• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Nuevo paquete PowerPAK® SC-70 mejorado térmicamente
- Área de huella pequeña
- Baja resistencia
• 100% Rg Probado
 
Las aplicaciones deLas medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C.


• Interruptor de carga, para líneas eléctricas de 1,2 V para dispositivos portátiles y de mano

 

 


Clasificaciones medioambientales y de exportación deLas medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C.
 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
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