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STP2N80K5 Canal N 800 V 2A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220
Datos del producto:
| Lugar de origen: | El original |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | STP2N80K5 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 2A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 10 V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 4Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 100µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 3 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | 30V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 95 pF @ 100 V |
Descripción de producto
STP2N80K5 Canal N 800 V 2A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220
Especificaciones deSTP2N80K5
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | STMicroelectrónica |
| Serie | SuperMESH5TM |
| Paquete | El tubo |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 4Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 5V @ 100μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | 30 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 95 pF @ 100 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 45 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del agujero |
| Paquete de dispositivos del proveedor | En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones |
| Envase / estuche | TO-220-3 |
| Número del producto de base | STP2N80 |
Características delSTP2N80K5
• Área de la RDS más baja de la industria
• La mejor cifra de mérito de la industria (FoM)
• Carga de puerta muy baja
• 100% de pruebas de avalancha
• Protegido con Zener
Las aplicaciones deSTP11N60DM2
• Cambiar de aplicación
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSTP2N80K5
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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