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BSP318S H6327 N-Canal 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montaje de superficie PG-SOT223-4
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | BSP318S H6327 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | 3-5 días |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 |
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Información detallada |
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| Tipo de FET: | N-canal | Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
|---|---|---|---|
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 2.6A (Tj) |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4.5V, 10V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 20µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 20 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | ||
Descripción de producto
BSP318S H6327 N-Canal 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montaje de superficie PG-SOT223-4
Especificaciones de Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Tecnologías Infineon |
| Serie | SIPMOS® |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Estado del producto | La última vez que compré |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | 2.6A (Tj) |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2V @ 20μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | Las emisiones de gases de efecto invernadero |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de un artículo de la Directiva 2008/57/CE. |
| Envase / estuche | Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
| Número del producto de base | BSP318 |
Características delSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
• Canal N
• Modo de mejora
• Avalanche clasificado
• Nivel de lógica
• con una velocidad nominal de
• Plomo libre de Pb; cumple con la normativa RoHS
• Calificado de acuerdo con la norma AEC Q101
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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