FDV301N Canal N 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Montaje de superficie SOT-23-3
Datos del producto:
Lugar de origen: | El original |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | FDV301N |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
Tiempo de entrega: | 3-5 días |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 1000 |
Información detallada |
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Tipo de FET: | N-canal | Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | 25 V | 25 V: | 220mA (TA) |
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 2.7V, 4.5V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 4 Ohms @ 400mA, 4,5 V |
Vgs(th) (máximo) @ Id: | 1.06V @ 250μA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 0,7 nC @ 4,5 V |
Vgs (máximo): | ±8V |
Descripción de producto
FDV301N Canal N 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Montaje de superficie SOT-23-3
Especificaciones de Las condiciones de los vehículos de la categoría M2
Tipo de producto | Descripción |
Categoría | Productos discretos de semiconductores |
Transistores | |
FET, MOSFET | |
FET y MOSFET individuales | |
El Sr. | en semi |
Serie | - |
Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
Banda cortante (TC) | |
Estado del producto | Actividad |
Tipo de FET | N-canal |
Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | 25 V |
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | El valor de las emisiones de CO2 será el mismo que el valor de las emisiones de CO2. |
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 2.7V, 4.5V |
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 4 Ohms @ 400mA, 4,5 V |
Vgs(th) (máximo) @ Id | 1.06V @ 250μA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 0.7 nC @ 4,5 V |
Vgs (máximo) | ± 8V |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 9.5 pF @ 10 V |
Característica del FET | - |
Disposición de energía (máximo) | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Paquete de dispositivos del proveedor | El SOT-23-3 |
Envase / estuche | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros |
Número del producto de base | FDV301 |
Características delLas condiciones de los vehículos de la categoría M2
• 25 V, 0,22 A continuo, 0,5 A máximo
* RDS (encendido) = 5 @ VGS = 2,7 V
* RDS (encendido) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Requisitos de accionamiento de puertas de muy bajo nivel que permitan el funcionamiento directo en circuitos de 3 V. VGS ((th) < 1,06 V
• Zener de puerta-fuente para robustez ESD. > 6 kV Modelo del cuerpo humano
• Reemplazar varios transistores digitales NPN por un FET DMOS
• Este dispositivo está libre de Pb− y de halogenuros.
Las aplicaciones deLas condiciones de los vehículos de la categoría M2
Este transistor de efecto de campo de modo de mejora del nivel de lógica de N-Canal se produce utilizando la tecnología DMOS de alta densidad celular patentada de onsemi.
Clasificaciones medioambientales y de exportación deLas condiciones de los vehículos de la categoría M2
Atributo | Descripción |
Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
Estatus de REACH | REACH No afectado |
El número de personas | El EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |