N25Q064A13ESE40F FLASH - NOR IC de memoria 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
Datos del producto:
Lugar de origen: | El original |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | N25Q064A13ESE40F |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
---|---|
Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
Tiempo de entrega: | días 1-3working |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 100.000 |
Información detallada |
|||
Formato de memoria: | El flash. | Tecnología: | FLASH - NI |
---|---|---|---|
Tamaño de la memoria: | 64Mbit | Organización de la memoria: | 16M x 4 |
Interfaz de memoria: | El SPI | Frecuencia del reloj: | 108 MHz |
Descripción de producto
N25Q064A13ESE40F FLASH - NOR IC de memoria 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
Especificaciones deNo obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
Tipo de producto | Descripción |
Categoría | Circuitos integrados (CI) |
Memoria | |
Memoria | |
El Sr. | Tecnología Micron Inc. |
Serie | - |
Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
Estado del producto | No está disponible |
Tipo de memoria | No volátiles |
Formato de memoria | El flash. |
Tecnología | FLASH - Ni siquiera |
Tamaño de la memoria | 64Mbit |
Organización de la memoria | 16M x 4 |
Interfaz de memoria | El SPI |
Frecuencia del reloj | 108 MHz |
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página | 8 ms, 5 ms |
Voltagem - Suministro | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Envase / estuche | 8 SOIC (0,209", 5,30 mm de ancho) |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8 - SO W |
Número del producto de base | No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán exigir que se aplique el presente Reglamento. |
Característicasde lasNo obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
• Interfaz de bus serie compatible con SPI
• Frecuencia de reloj de 108 MHz (MAX)
• 2,7 3,6 V de tensión de alimentación única
• La instrucción de E/S dual/quad proporciona un mayor rendimiento de hasta 432 MHz
• Protocolos apoyados
¢ SPI ampliado, doble E/S y cuádruple E/S
• Modo de ejecución en el lugar (XIP) para los tres protocolos
¢ Configurable mediante registros volátiles o no volátiles
Permite que la memoria funcione en modo XIP directamente después de encendido
• Las operaciones de programación/borrado SUSPEND
• Lectura continua de toda la memoria mediante un solo comando
Leer rápidamente
Descripciones de No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
El N25Q es el primer dispositivo de memoria flash serie de entrada/salida múltiple de alto rendimiento fabricado con tecnología NOR de 65 nm.Mecanismos avanzados de protección de escritura, y una interfaz de bus compatible con SPI de alta velocidad.las instrucciones de entrada/salida dual y quad permiten duplicar o cuadruplicar el ancho de banda de transferencia para las operaciones de READ y PROGRAM.
Clasificaciones medioambientales y de exportaciónde lasNo obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán autorizar el uso de las mismas.
Atributo | Descripción |
Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 horas) |
Estatus de REACH | REACH No afectado |
El número de personas | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |