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SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Channel 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | SQJ422EP-T1_GE3 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | 40 V | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 74A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4.5V y 10V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 4660 pF @ 20 V |
| Alta luz: | SQJ422EP-T1_GE3 SMD de energía,Potencia de SO-8 SMD |
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Descripción de producto
SQJ422EP-T1_GE3 Canal N 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) Monte de superficie PowerPAK® SO-8
Especificaciones deLos datos de los datos de los Estados miembros de conformidad con el anexo I se publicarán en el boletín de datos.
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Vishay Siliconix |
| Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | 40 V |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2.5V @ 250 μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4660 pF @ 20 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 83 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se aplicará el siguiente procedimiento: |
| Envase / estuche | Se aplicará el siguiente procedimiento: |
| Número del producto de base | SQJ422 |
Características del Los datos de los datos de los Estados miembros de conformidad con el anexo I se publicarán en el boletín de datos.
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• 100% Rg y UIS probados
• AEC-Q101 Calificado
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de Los datos de los datos de los Estados miembros de conformidad con el anexo I se publicarán en el boletín de datos.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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