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SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sit |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | 40 V | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 58A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4.5V y 10V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 55 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 2450 pF @ 20 V |
| Alta luz: | SQJ858AEP-T1_GE3 en el caso de las unidades de producción,40 V por vez |
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Descripción de producto
SQJ858AEP-T1_GE3 Canal N 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Monte de superficie PowerPAK® SO-8
Especificaciones deLos datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Vishay Siliconix |
| Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | 40 V |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2.5V @ 250 μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | Las partidas de los demás componentes |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2450 pF @ 20 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 48 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se aplicará el siguiente procedimiento: |
| Envase / estuche | Se aplicará el siguiente procedimiento: |
| Número del producto de base | SQJ858 |
Características del Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• AEC-Q101 Calificado
• 100% Rg y UIS probados
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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