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SQM120N06-3M5L-GE3 Montaje de superficie Ic N Canal 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-263
Datos del producto:
| Lugar de origen: | originales |
| Nombre de la marca: | original |
| Certificación: | original |
| Número de modelo: | SQM120N06-3M5L-GE3 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1 |
|---|---|
| Precio: | negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
| Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100,000 |
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Información detallada |
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| Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | Las demás: | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | 120A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4.5V y 10V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 3.5mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | Las partidas de los demás componentes |
| Vgs (máximo): | ± 20 V | Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 14700 pF @ 25 V |
| Alta luz: | SQM120N06-3M5L-GE3 montaje en superficie,TO-263 Montaje en superficie |
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Descripción de producto
SQM120N06-3M5L-GE3 N-Canal 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montaje de superficie TO-263
Especificaciones deSQM120N06-3M5L-GE3
| Tipo de producto | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | Vishay Siliconix |
| Serie | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
| Banda cortante (TC) | |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2.5V @ 250 μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | Las partidas de los demás componentes |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 14700 pF @ 25 V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 375W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | TO-263 |
| Envase / estuche | TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB |
| Número del producto de base | SQM120 |
Características del SQM120N06-3M5L-GE3
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Envase con baja resistencia térmica
• AEC-Q101 Calificado
• 100% Rg y UIS probados
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de SQM120N06-3M5L-GE3
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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