• FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, montaje de superficie de 1W 8-Power33 (3x3)
FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, montaje de superficie de 1W 8-Power33 (3x3)

FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, montaje de superficie de 1W 8-Power33 (3x3)

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: FDMC8200s: el número de unidad

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tecnología: MOSFET (óxido de metal) Configuración: Canal N 2 (dual)
Característica del FET: Puerta del nivel de la lógica Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 30V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id: 3V @ 250µA Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 10nC @ 10V

Descripción de producto

FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, montaje de superficie de 1W 8-Power33 (3x3)


Especificaciones de FDMC8200s: el número de unidad

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  FET, MOSFET
  FET, MOSFET Arrays Las matrices de FET, MOSFET y MOSFET se encuentran en las tablas siguientes:
El Sr. en semi
Serie PowerTrench®
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Estado del producto Actividad
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Configuración 2 canales N (doble)
Característica del FET Puerta de nivel lógico
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) 30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C 6A, 8.5A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id 3 V @ 250 μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 660 pF @ 15V
Potencia - máximo 700 mW, 1 W
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor 8-Poder33 (3x3)
Número del producto de base FDMC82

 

Características del FDMC8200s: el número de unidad


• Q1: Canal N
* RDS máximo en funcionamiento = 20 m a VGS = 10 V, ID = 6 A
* RDS máximo (on) = 32 m a VGS = 4,5 V, ID = 5 A
• Q2: Canal N
* RDS máximo (on) = 10 m a VGS = 10 V, ID = 8,5 A
* Max rDS ((on) = 13,5 m a VGS = 4,5 V, ID = 7,2 A
• Este dispositivo no contiene Pb−, no contiene halogenuros y cumple con la normativa RoHS

 

 

 

Las aplicaciones de FDMC8200s: el número de unidad


• Informática móvil
• Dispositivos móviles de Internet
• Punto de carga de propósito general

 


Medio ambiente yClasificaciones de exportación de FDMC8200s: el número de unidad
 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH REACH No afectado
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, montaje de superficie de 1W 8-Power33 (3x3) 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, montaje de superficie de 1W 8-Power33 (3x3) ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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