CSD16570Q5B N-Canal 25 V 100A 3.2W 195W (Tc) Montaje de superficie 8-VSON-CLIP (5x6)
Datos del producto:
Lugar de origen: | originales |
Nombre de la marca: | original |
Certificación: | original |
Número de modelo: | CSD16570Q5B |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 |
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Precio: | negotiation |
Detalles de empaquetado: | Caja de cartón |
Tiempo de entrega: | Entre 1 y 3 días hábiles |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 100,000 |
Información detallada |
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Tipo de FET: | N-canal | Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss): | 25 V | Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: | Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido): | 4.5V y 10V | Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (máximo) @ Id: | 1.9V @ 250 μA | 1.9V @ 250 μA: | 250 nC @ 10 V |
Descripción de producto
CSD16570Q5B N-Canal 25 V 100A 3.2W 195W (Tc) Montaje de superficie 8-VSON-CLIP (5x6)
Especificaciones de En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito.
Tipo de producto | Descripción |
Categoría | Productos discretos de semiconductores |
Transistores | |
FET, MOSFET | |
FET y MOSFET individuales | |
El Sr. | Las acciones de Texas Instruments |
Serie | NexFETTM |
Paquete | Cintas y bobinas (TR) |
Banda cortante (TC) | |
Tipo de FET | N-canal |
Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | 25 V |
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor |
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (máximo) @ Id | 1.9V @ 250 μA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente: |
Vgs (máximo) | ± 20 V |
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 14000 pF @ 12 V |
Característica del FET | - |
Disposición de energía (máximo) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaje | Montura de la superficie |
Paquete de dispositivos del proveedor | Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos. |
Envase / estuche | El número de unidades de carga de la unidad |
Número del producto de base | En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben: |
Características del En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito.
• Resistencia muy baja
• Qg y Qgd bajos
• Baja resistencia térmica
• Avalanche clasificado
• Pb Platificación de terminales libres
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Sin halógenos
• Envase de plástico de 5 mm × 6 mm
Las aplicaciones de En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito.
• Aplicaciones de intercambio en caliente
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito de las entidades de crédito.
Atributo | Descripción |
Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
Estatus de REACH | REACH No afectado |
El número de personas | El EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |