• FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Montaje de superficie SOT-223-3
FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Montaje de superficie SOT-223-3

FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Montaje de superficie SOT-223-3

Datos del producto:

Lugar de origen: originales
Nombre de la marca: original
Certificación: original
Número de modelo: FZT851TA

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: Caja de cartón
Tiempo de entrega: Entre 1 y 3 días hábiles
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000
Mejor precio Contacto

Información detallada

Tipo de transistor: NPN Actual - colector (Ic) (máximo): 0.25
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): Las demás: Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: Se aplicarán las siguientes medidas:
Actual - atajo del colector (máximo): Se aplicarán las siguientes medidas: Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Potencia - máximo: 3 W Frecuencia - transición: 130MHz

Descripción de producto

FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Montaje de superficie SOT-223-3

 

Especificaciones de FZT851TA

 

Tipo de producto Descripción
Categoría Productos discretos de semiconductores
  Transistores
  Bipolaridad (BJT)
  Transistores bipolares únicos
El Sr. Diodos incorporados
Serie -
Paquete Cintas y bobinas (TR)
  Banda cortante (TC)
Tipo de transistor NPN (número de origen)
Corriente - colector (Ic) (máximo) 0.25
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) Las demás:
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic Se aplicarán las siguientes medidas:
Corriente - límite del colector (máximo) Se aplicarán las siguientes medidas:
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Potencia - máximo 3 W
Frecuencia - Transición Las demás:
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de un proyecto de investigación.
Número del producto de base FZT851

 
Características del FZT851TA


• BVCEO > 60 V
• IC = 6A Corriente continua alta del colector
• ICM = 20A Corriente de pulso máximo
• Baja tensión de saturación VCE (sat) < 100mV @ 1A
• RCE (sat) = 44mΩ para una baja resistencia de encendido equivalente
• hFE especificado hasta 10A para una retención de ganancia alta
• Tipo de PNP complementario: FZT951
• Finalización libre de plomo, conforme a la Directiva RoHS (Notas 1 y 2)
• Libre de halógenos y antimonio.
• El FZT851Q es adecuado para aplicaciones automotrices que requieren un control de cambios específico; esta parte está calificada AEC-Q101, es compatible con PPAP y se fabrica en instalaciones certificadas IATF16949.


 
Las aplicaciones de FZT851TA


• Caso: SOT223 tipo DN
• Material de la caja: plástico moldeado, “verde” compuesto de moldeo.
• Sensibilidad a la humedad: Nivel 1 por J-STD-020
• Terminals: acabado - plomo de estaño incrustado mate. soldable según MIL-STD-202, método 208
• Peso: 0,112 gramos (aproximado)
 
Medio ambiente yClasificaciones de exportación de 
FZT851TA

 

Atributo Descripción
Estado de la RoHS Conforme con la Directiva ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (sin límite)
Estatus de REACH Reacción afectada
El número de personas El EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Montaje de superficie SOT-223-3 0

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. FZT851TA Transistor bipolar (BJT) NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Montaje de superficie SOT-223-3 ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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